[发明专利]隔离电容及其制备方法

权利要求书

1.一种隔离电容，其特征在于，

所述隔离电容包括衬底、位于衬底和隔离介质层上的P型接触层、位于P型接触层上的第一电极板和第二电极板、位于P型接触层和第一电极板之间的第一介质层、及位于第一电极板和第二电极板之间的第二介质层，所述P型接触层中形成有浅槽隔离区，衬底中形成有隔离介质层，所述浅槽隔离区至少覆盖第一电极板和第二电极板的下方区域，所述隔离介质层位于浅槽隔离区下方且至少覆盖第一电极板和第二电极板的下方区域。

2.根据权利要求1所述的隔离电容，其特征在于，

所述浅槽隔离区覆盖于全部隔离介质层及部分衬底上方。

3.根据权利要求2所述的隔离电容，其特征在于，

所述浅槽隔离区包括贯穿P型接触层的浅槽及填充于浅槽内的隔离介质。

4.根据权利要求2所述的隔离电容，其特征在于，

所述隔离介质层位于第一电极板和第二电极板的正下方区域。

5.根据权利要求1或4所述的隔离电容，其特征在于，

所述隔离介质层的厚度与衬底厚度相等；和/或，所述隔离介质层的材料为二氧化硅；和/或，所述衬底的材料为硅。

6.根据权利要求1所述的隔离电容，其特征在于，

所述P型接触层包括位于衬底上方的若干P型接触区，第一介质层和/或第二介质层中形成有若干与P型接触区电性连接的金属导电结构，所述金属导电结构包括若干金属导电柱和/或若干金属导电层。

7.一种隔离电容的制备方法，其特征在于，

所述制备方法包括：

S1、提供一衬底，在衬底上外延生长P型接触层；

S2、通过浅槽隔离工艺在P型接触层中形成浅槽隔离区；

S3、在P型接触层及浅槽隔离区上依次形成第一介质层、第一电极板、第二介质层及第二电极板，所述浅槽隔离区至少覆盖第一电极板和第二电极板的下方区域；

S4、刻蚀去除部分区域的衬底，形成刻槽，所述刻槽位于浅槽隔离区下方且至少覆盖第一电极板和第二电极板的下方区域；

S5、于刻槽内沉积隔离介质，形成隔离介质层，所述隔离介质层位于浅槽隔离区下方且至少覆盖第一电极板和第二电极板的下方区域。

8.根据权利要求7所述的隔离电容的制备方法，其特征在于，

所述步骤S4具体为：

在衬底上设置光罩，至少露出与第一电极板和第二电极板对应区域的衬底；

通过TSV工艺，刻蚀去除与第一电极板和第二电极板对应区域的衬底，形成刻槽。

9.根据权利要求7所述的隔离电容的制备方法，其特征在于，

所述步骤S5还包括：

通过CMP工艺，对衬底和隔离介质层进行平坦化。

10.根据权利要求7所述的隔离电容的制备方法，所述P型接触层包括位于衬底上方的若干P型接触区，其特征在于，

所述步骤S3还包括：

在第一介质层和/或第二介质层中形成若干与P型接触区电性连接的金属导电结构。