[发明专利]化学机械研磨设备和方法

说明书

本发明公开了一种化学机械研磨设备，包括：抛光台，用于对晶圆进行研磨；在抛光台外侧设置有晶圆保湿装置，晶圆保湿装置包括晶圆放置部件以及去离子水喷洒部件；控制装置在晶圆需要进行等待时将晶圆从抛光台上移动到晶圆保湿装置中并控制去离子水喷洒部件喷洒实现对晶圆保湿，以防止晶圆上的膜层被残留在晶圆表面上残留的研磨液腐蚀。本发明还公开了一种化学机械研磨方法。本发明能防止晶圆在抛光台上等待过久带来的研磨液对晶圆膜层的腐蚀问题，从而能避免由于膜层腐蚀而产生的凹陷，特别能消除钨膜层的化学机械研磨时晶圆等待时间过长产生的钨凹陷缺陷。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种化学机械研磨(CMP)设备。本发明还涉及一种铜化学机械研磨方法。

背景技术

在半导体集成电路制造中，除了进行各种膜层如介质层和金属层的生长所用的机台如化学气相沉积(CVD)设备和物理气相沉积(PVD)设备，用于对膜层进行平坦化的CMP设备也被广泛使用。

CMP设备通过物理研磨和化学反应的双重作用实现对膜层的平坦化，研磨时，研磨台上会设置研磨垫，晶圆会固定在研磨头上，包括了研磨颗粒和研磨浆料(Slurry)的研磨液会从研磨液管输送到研磨液手臂上并通过研磨液手臂流动到研磨垫上，研磨头会将晶圆和研磨垫接触并施加压力以及转动，之后实现对晶圆膜层的研磨。

晶圆的膜层也通常分为介质层和金属层，介质层比较常用的有氧化硅层和氮化硅层；金属层比较常用的由钨层、铝层和铜层。通常，CMP的研磨台上能设置多个研磨垫，运行晶圆在多个研磨垫上分步进行研磨，如实现粗细不同的研磨，多层膜层时实现不同膜层的研磨；也能实现多片晶圆在同一研磨台上进行并行研磨。

CMP设备容易出现故障而报警(alarm)即会产生alarm信号，alarm信号发出时，CMP设备会停止研磨。现有CMP设备当出现alarm报警时很容易出现膜层凹陷(recess)，特别是在钨层CMP时容易出现钨凹陷并形成钨凹陷缺陷，最后会使产品良率降低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种化学机械研磨设备，能防止晶圆在抛光台上等待过久带来的研磨液对晶圆膜层的腐蚀问题，从而能避免由于膜层腐蚀而产生的凹陷，特别能消除钨膜层的化学机械研磨时晶圆等待时间过长产生的钨凹陷缺陷。为此，本发明还提供一种化学机械研磨方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的化学机械研磨设备包括：

抛光台，用于对晶圆进行研磨。

在所述抛光台外侧设置有晶圆保湿装置，所述晶圆保湿装置包括晶圆放置部件以及去离子水喷洒部件。

控制装置，所述控制装置在所述晶圆需要进行等待时将所述晶圆从所述抛光台上移动到所述晶圆保湿装置中并控制所述去离子水喷洒部件喷洒实现对所述晶圆保湿，以防止所述晶圆上的膜层被残留在所述晶圆表面上残留的研磨液腐蚀。

进一步的改进是，化学机械研磨设备包括装载杯，所述抛光台包括研磨头，所述研磨头从所述装载杯上取放所述晶圆。

进一步的改进是，所述装载杯包括晶圆托架，所述晶圆托架设置在底座上，在所述底座上设置有第一碰嘴，所述第一碰嘴用于从底部向上喷洒清洗液并实现对所述研磨头的清洗。

进一步的改进是，所述晶圆保湿装置设置在所述装载杯上，所述晶圆托架作为所述晶圆放置部件，所述去离子水喷洒部件设置在所述晶圆托架上。

进一步的改进是，所述晶圆托架包括第一圆环和多个辐条。

所述第一圆环的内径小于所述晶圆的半径，所述第一圆环的外径大于所述晶圆的半径。

各所述辐条设置在所述第一圆环的圆心和内径之间。

在所述辐条上设置有多个第二碰嘴，所述第二碰嘴和去离子水供应管相连并作为所述去离子水喷洒部件。