[发明专利]横向双扩散晶体管的电路模型及其建模方法

权利要求书

1.一种横向双扩散晶体管的电路模型，其中，包括：

标准BSIM4模型；

串联于所述标准BSIM4模型上的栅端-体端等效电容，所述栅端-体端等效电容包括多个栅端-体端等效电容修正项系数，用于修正栅端-体端电容；以及

串联于所述标准BSIM4模型上的栅端-漏端等效电容，所述栅端-漏端等效电容包括多个栅端-漏端等效电容修正项系数，用于修正栅端-漏端电容，

其中，所述电路模型用于表征横向双扩散晶体管的电容特性。

2.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管的电路模型，其中，所述标准BSIM4模型用于表征横向双扩散晶体管的栅端-源端电容的电容特性，

所述栅端-体端等效电容用于表征横向双扩散晶体管的栅端-体端电容的电容特性，

所述栅端-漏端等效电容用于表征横向双扩散晶体管的栅端-漏端电容的电容特性。

3.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管的电路模型，其中，所述多个栅端-体端等效电容修正项系数包括：晶体管的沟道宽度、晶体管的第一沟道长度修正系数、晶体管的第二沟道长度修正系数以及栅端-体端的电压相关系数。

4.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管的电路模型，其中，所述多个栅端-漏端等效电容修正项系数包括：晶体管的沟道宽度、晶体管的第三沟道长度修正系数、晶体管的第四沟道长度修正系数以及栅端-漏端的电压相关系数。

5.根据权利要求3或4所述的横向双扩散晶体管的电路模型，其中，所述晶体管的沟道宽度用于表征晶体管器件宽度的变化对栅端-体端电容或栅端-漏端电容的影响。

6.根据权利要求3所述的横向双扩散晶体管的电路模型，其中，所述第一沟道长度修正系数用于表征晶体管中覆盖于漂移区之上的栅氧层部分对应的多晶硅层长度的变化对栅端-体端电容的影响，

所述第二沟道长度修正系数用于表征晶体管中覆盖于场氧层之上的多晶硅层长度的变化对栅端-体端电容的影响。

7.根据权利要求3所述的横向双扩散晶体管的电路模型，其中，所述栅端-体端的电压相关系数用于表征栅端-体端两端电压大小与栅端-体端电容大小的正向关系。

8.根据权利要求4所述的横向双扩散晶体管的电路模型，其中，所述第三沟道长度修正系数用于表征晶体管中覆盖于漂移区之上的栅氧层部分对应的多晶硅层长度的变化对栅端-漏端电容的影响，

所述第四沟道长度修正系数用于表征晶体管中覆盖于场氧层之上的多晶硅层长度的变化对栅端-漏端电容的影响。

9.根据权利要求4所述的横向双扩散晶体管的电路模型，其中，所述栅端-漏端的电压相关系数用于表征栅端-漏端两端电压大小与栅端-漏端电容大小的正向关系。

10.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管的电路模型，其中，所述栅端-体端等效电容的表达式为：

Cgb1＝W*(L1b*L1*E/Tox+L2b*L2*E/Toxh)*(Vb1+Vb2*tanh(Vgb+Vb3))，

其中，Cgb1为栅端-体端电容，W为晶体管的沟道总宽度，L1b为对晶体管中覆盖于漂移区之上的栅氧层部分对应的多晶硅层长度的相对栅端-体端电容的补偿值，L1为晶体管中覆盖于漂移区之上的栅氧层部分对应的多晶硅层长度，E为氧化层介电常数，Tox为栅氧层的厚度，L2b为对晶体管中覆盖于场氧层之上的多晶硅层长度的相对栅端-体端电容的补偿值，L2为晶体管中覆盖于场氧层之上的多晶硅层长度，Toxh为场氧层的厚度，Vb1为晶体管体端的电压初值，Vb2为晶体管体端的电压系数，Vgb为晶体管的栅端和体端两端的电压，Vb3为晶体管体端的电压偏离值，tanh为函数类型。