[发明专利]一种集成电路制造光源优化方法及电子设备

说明书

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及集成电路制造光源优化方法及电子设备，所述方法包括如下步骤：S1、提供初始光源；S2、根据初始光源的光源强度分布进行区域分割以获得多个子光源区域；S3、提供至少两种匹配图形，将至少两种匹配图形分别与每个子光源区域进行匹配以获得与每个子光源区域对应的至少两个匹配结果；S4、基于至少两个匹配结果分别与每个子光源区域进行计算以获得与每个子光源区域对应的最佳匹配图形；及S5、基于与每个子光源区域对应的最佳匹配图形生成待优化光源。用匹配图形与分割的子光源区域进行匹配能很好的提高待优化光源的光源强度集中度，同时使得光源形状更加理想，更好的获得满足用户需求的光源。

【技术领域】

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种集成电路制造光源优化方法及电子设备。

【背景技术】

光刻技术是极大规模集成电路制造的关键技术之一。在光刻机的曝光波长与数值孔径一定的情况下，需要采用分辨率增强技术来减小工艺因子，提高光刻分辨率。光源优化技术是一种重要的分辨率增强技术，和传统的分辨率增强技术如光学邻近校正技术相比，具有更大的自由度，且具有成本低、实现速度快的优点，是进一步提高光刻分辨率和工艺窗口的关键技术。

目前在研究的光源优化方法包括基于遗传算法的光源掩模优化方法、基于粒子群的光源优化算法、基于线性规划的光源优化方法等等。然而，经过一些算法仿真优化出来的光源，由于实际生产技术的限制，有时光源强度不够集中，达不到理想的优化效果，得不到想要的光源形状，在目前现有的算法中尚没有实际能解决上述这些问题。

【发明内容】

为克服目前对光源优化时存在光源分布不集中的技术问题，本发明提供一种集成电路制造光源优化方法及电子设备。

本发明为了解决上述技术问题，提供一技术方案：一种集成电路制造光源优化方法，包括如下步骤：S1、提供初始光源；S2、根据所述初始光源的光源强度分布进行区域分割以获得多个子光源区域；S3、提供至少两种匹配图形，将所述至少两种匹配图形分别与每个所述子光源区域进行匹配以获得与每个子光源区域对应的至少两个匹配结果；S4、基于所述至少两个匹配结果分别与所述每个子光源区域进行计算以获得与所述每个子光源区域对应的最佳匹配图形；及S5、基于与每个所述子光源区域对应的所述最佳匹配图形生成待优化光源。

优选地，所述集成电路制造光源优化方法还包括如下步骤：S6、利用光源优化算法对所述待优化光源进行优化。

优选地，所述集成电路制造光源优化方法还包括如下步骤：S20、将所述初始光源像素化，设置光源强度阈值且将低于光源强度阈值的光源像素点去除，同时去除孤立的光源像素点；所述步骤S20在所述步骤S1和步骤S2之间。

优选地，在上述步骤S3中，所述至少两个匹配结果包括关于每个匹配图形的形状参数。

优选地，所述步骤S4包括如下步骤：S41、基于每个匹配图形的形状参数生成对应的形状并于形状内填充光源强度值；S42、基于所述步骤S41中的形状参数以及光源强度值与初始光源计算以获得匹配参数，根据匹配参数确定最佳匹配图形。

优选地，在上述步骤S42中，基于归一化法进行匹配计算，匹配参数R_{ccoeff_normed}的计算公式如下：

式中：T′(x′,y′)为初始光源在点x′,y′处的光源强度值；I′(x′,y′)为与为每个匹配结果对应的匹配图形在点x′,y′处的光源强度值。

优选地，在上述步骤S5中，将最佳匹配图形按照顺序重新拼接以获得待优化光源。

优选地，在上述步骤S3中，所述至少两种匹配图形包括规则多边形或者不规则多边形，规则多边形包括圆形、矩形、扇形中的一种或者几种，所述不规则多边形包括叶子形、“之”字形、“N”字形中的一种或者几种。