[发明专利]一种掩模优化方法、掩模优化系统及电子设备

说明书

本发明涉及集成电路掩模设计领域，尤其涉及掩模优化方法、掩模优化系统及电子设备。包括步骤：S1、提供包括至少一个掩模图形的掩模版图，并将掩模版图划分成多个区域块，至少部分区域块中包括至少一个掩模图形；S2、对区域块中每个掩模图形所有的线段分别与其周围的线段执行计算，获得并记录与每条线段对应的特征值；S3、统计所有区域块中的特征值，基于特征值对所述区域块进行分类，基于分类结果选择需要执行优化的区域块定义为执行块，所有执行块之间的掩模图形的线段的特征值存在区别；及S4、对执行块进行优化，并记录优化结果，且基于优化结果对掩模版图进行全局优化，基于上述步骤对掩模版图进行优化能很好的减小运算量，提高优化效率。

【技术领域】

本发明涉及集成电路掩模设计领域，尤其涉及一种掩模优化方法、掩模优化系统及电子设备。

【背景技术】

光刻工艺是现代极大规模集成电路制造过程中最重要的制造工艺，即通过光刻机将掩模上集成电路的设计图形转移到硅片上的重要手段。掩模上集成电路设计图形通过光刻机的投影物镜在硅片上成像时，随着掩模上图形特征尺寸的较小，光的衍射现象逐渐显著。当某些高阶衍射光因投影物镜光学系统孔径限制而无法参与成像时，在硅片上的成像将产生变形和图形无法分辨的现象。这一现象被称为光学临近效应(Optical ProximityEffect)。为提高成像分辨率和成像质量，人们可以通过对掩模上图形进行优化实现对上述光学临近效应的校正即OPC(Optical Proximity Correction)。随着特征尺寸的减小，整个版图上往往包括数量庞大的掩模图形，数量常常达到亿级， OPC不可能同时修正包含以亿计的版图图形。通常整个版图会被分割成小块区域各自进行OPC，然后再把小区域的结果汇总成完整的结果。完整的版图往往会被分割成数十万块小区域，即便使用并行计算，OPC的时间也会很长。

【发明内容】

为克服目前对掩模优化时优化时间较长的技术问题，本发明提供一种掩模优化方法、掩模优化系统及电子设备。

本发明为了解决上述技术问题，提供一技术方案：一种掩模优化方法，包括如下步骤：S1、提供包括至少一个掩模图形的掩模版图，并将所述掩模版图划分成多个区域块，至少部分区域块中包括至少一个掩模图形，所述掩模图形为多边形，包括多条围合的线段；S2、对所述区域块中每个掩模图形所有的线段分别与其周围的线段执行计算，获得并记录与每个掩模图形每条线段对应的特征值； S3、统计所有区域块中所有线段的特征值，基于所述特征值对所述区域块进行分类，基于所述分类结果选择需要执行优化的区域块定义为执行块，所有执行块之间的掩模图形的线段的特征值存在区别；及S4、对所述执行块进行优化，并记录每个特征值对应的掩模图形的线段对应的优化结果，且基于所述优化结果对所述掩模版图进行全局优化。

优选地，所述掩模的优化方法还包括如下步骤：S10、将超过预设长度的掩模图形的线段分割成至少两条线段；分割后的线段的长度按照预设的长度范围设定；所述步骤S10在所述步骤S1和步骤S2之间。

优选地，所述步骤S3具体包括如下步骤：S31、将所有的线段的特征值均相同的区域块归为一个类别；S32、在每个类别的区域块中选择一个区域块以获得所述执行块；及S33、对所述执行块所有线段的特征值的种类数量进行统计，以获得种类数量由大到小的排列顺序，按照从大到小的顺序依次选择执行块进行优化，直至所有执行块包括的全部线段的特征值的并集等于所有区域块包括的全部线段的特征值的并集。

优选地，在上述步骤S4中，基于执行块中与线段对应的特征值与相应的优化结果建立优化规则，基于优化规则对所述掩模版图进行全局优化。

优选地，在上述步骤S1中，所述区域块为预设边长范围的正方形。

优选地，所述预设的边长范围为：10-100μm。

优选地，在上述步骤S2中，所述特征值至少为关于周围所有的线段的位置、长度以及方向的函数。