[发明专利]空气桥的制备方法、空气桥结构及超导量子芯片

权利要求书

1.一种空气桥的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上沉积符合所述空气桥形状的桥撑材料；

在所述衬底和所述桥撑材料上涂敷图形化光刻胶；

基于所述空气桥的开口要求接收在所述图形化光刻胶上的曝光图形化处理，所述开口要求用于指示所述空气桥的桥面上开口的位置要求；

在曝光图形化处理后的所述图形化光刻胶上进行显影处理；

在显影处理后的桥撑材料上沉积桥材料，得到具有所述开口的所述空气桥。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述开口位于所述空气桥的引桥部分；或，所述开口位于所述空气桥的引桥部分和桥墩部分；

所述基于所述空气桥的开口要求接收在所述图形化光刻胶上的曝光图形化处理，包括：

在所述图形化光刻胶上的图形化区域覆盖掩膜板，所述图形化区域为除所述开口对应的位置以外的区域；

在所述图形化光刻胶上施加光照，进行所述曝光图形化处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在显影处理后的桥撑材料上沉积桥材料，得到具有所述开口的所述空气桥，包括：

在显影处理后的桥撑材料上沉积桥材料；

释放所述空气桥周侧的所述图形化光刻胶；

从所述开口处释放刻蚀材料，刻蚀所述桥撑材料，得到具有所述开口的所述空气桥。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述图形化光刻胶上的图形化区域覆盖掩膜板，包括：

响应于所述开口位于引桥部分，在所述图形化光刻胶上与所述桥墩部分和桥顶部分对应的区域，以及所述引桥部分中非开口部分对应的区域覆盖所述掩膜板；

响应于所述开口位于所述引桥部分和所述桥墩部分，在所述图形化光刻胶上与所述桥顶部分对应的区域、所述引桥部分和所述桥墩部分中非开口部分对应的区域覆盖所述掩膜板。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述开口位于所述空气桥的桥顶部分；或，所述开口位于所述空气桥的引桥部分；或，所述开口位于所述空气桥的引桥部分和桥墩部分；

所述基于所述空气桥的开口要求接收在所述图形化光刻胶上的曝光图形化处理，包括：

在所述图形化光刻胶上的与所述桥撑材料对应的区域覆盖掩膜板；

在所述图形化光刻胶上施加光照，进行所述曝光图形化处理。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在显影处理后的桥撑材料上沉积桥材料，得到具有所述开口的所述空气桥，包括：

在所述显影处理后的所述桥撑材料上沉积桥材料，得到基础空气桥，所述基础空气桥上不具有所述开口；

在所述基础空气桥涂敷用于制备开口的光刻胶；

在所述用于制备开口的光刻胶上的图形化区域覆盖掩膜板，所述图形化区域为除所述开口对应的位置以外的区域；

基于所述掩膜板对所述基础空气桥进行开口处理，得到具有所述开口的所述空气桥。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述基于所述掩膜板对所述基础空气桥进行开口处理，得到具有所述开口的所述空气桥，包括：

在所述用于制备开口的光刻胶上施加光照，对所述用于制备开口的光刻胶进行曝光处理；

对曝光处理后的所述用于制备开口的光刻胶进行显影处理，得到所述空气桥的开口图案；

基于所述开口图案在所述基础空气桥上进行刻蚀，得到具有所述开口的所述空气桥。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基于所述开口图案在所述基础空气桥上进行刻蚀，得到具有所述开口的所述空气桥，包括：

基于所述开口图案在所述基础空气桥上进行刻蚀，并释放所述空气桥周侧的所述用于制备开口的光刻胶；

从所述开口处释放刻蚀材料，刻蚀所述桥撑材料，得到具有所述开口的所述空气桥。