[发明专利]复合材料及其制备方法与量子点发光二极管

说明书

本发明公开复合材料及其制备方法与量子点发光二极管。所述复合材料包括MoO₃纳米材料和有机化合物，所述有机化合物为稠环烃或其衍生物，所述MoO₃纳米材料中的钼原子与所述有机化合物中的碳原子结合，所述MoO₃纳米材料中的氧原子与所述有机化合物中的氢原子结合，所述MoO₃纳米材料的LUMO能级低于所述有机化合物的LUMO能级。本发明中，由于MoO₃的LUMO能级低于稠环烃或其衍生物的HOMO轨道能级，所以稠环烃或其衍生物的HOMO能级上的电子很容易转移到MoO₃的LUMO能级上，形成自由的空穴，从而提高了空穴传输性能，进而提高了量子点发光二极管发光效率。

技术领域

本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管。

背景技术

量子点(QD)具有量子尺寸效应，人们通过调控量子点的大小来实现所需要的特定波长的发光，CdSe QD的发光波长调谐范围可以从蓝光一直到红光。在传统的无机电致发光器件中电子和空穴分别从阴极和阳极注入，然后在发光层复合形成激子发光。

发明内容

发明人研究发现，近年来，P型有机半导体材料和无机半导体材料作为空穴传输层成为比较热的研究内容。其中过渡金属氧化物(如WO₃，MoO₃，NiO，Cu₂O和V₂O₅)在很多量子点发光二极管中被用作阳极缓冲层，并取得不错的性能。尤其是氧化钼具有一个很深的电子能级态和有效的空穴注入，并取得了一些效果。氧化钼作为一种过渡金属材料，因其独特的微观结构、可调控的能带隙和较高的载流子迁移率而广泛引起国内外研究人员的注意。由苯环线性排列而成的稠环烃或其衍生物，其性质比较稳定、空穴迁移率可与非晶硅媲美。其单晶制备的场效应晶体管器件，空穴迁移率较高，到可以与非晶硅相媲美的程度。但由MoO₃纳米材料掺杂的稠环烃或其衍生物却鲜有人报道。

基于此，根据本发明的第一方面，提供一种复合材料，其中，所述复合材料包括MoO₃纳米材料和有机化合物，

所述有机化合物为稠环烃或其衍生物，

所述MoO₃纳米材料中的钼原子与所述有机化合物中的碳原子结合，所述MoO₃纳米材料中的氧原子与所述有机化合物中的氢原子结合，

所述MoO₃纳米材料的LUMO能级低于所述有机化合物的LUMO能级。

根据本发明的第二方面，提供一种本发明所述复合材料的制备方法，其中，包括步骤：

将有机化合物与MoO₃纳米材料溶解于醇类溶剂中，进行第一水热反应，得到所述有机化合物与MoO₃纳米材料结合的复合材料；其中所述有机化合物为稠环烃或其衍生物。

根据本发明的第三方面，提供一种量子点发光二极管，包括空穴传输层，其中，所述空穴传输层包括本发明所述的复合材料。

附图说明

图1为本发明实施例中提供的一种量子点发光二极管的结构示意图。

图2为本发明一实施方式中提供的一种量子点发光二极管的结构示意图。

图3为本发明实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。

具体实施方式

本发明提供一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。