[发明专利]复合材料及其制备方法与量子点发光二极管在审
| 申请号： | 202011303898.1 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114520294A | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00;C09K11/06;C09K11/68;C09K11/02 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘芙蓉 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括MoO3纳米材料和有机化合物，
所述有机化合物为稠环烃或其衍生物，
所述MoO3纳米材料中的钼原子与所述有机化合物中的碳原子结合，所述MoO3纳米材料中的氧原子与所述有机化合物中的氢原子结合，
所述MoO3纳米材料的LUMO能级低于所述有机化合物的LUMO能级。
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述有机化合物为并五苯，所述并五苯为未取代的并五苯或取代的并五苯。
3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述有机化合物与MoO3纳米材料的摩尔比1：(0.1～0.3)。
4.根据权利要求2所述的复合材料，其特征在于，所述并五苯为取代的并五苯，所述取代的并五苯为吸电子基团取代的并五苯，所述吸电子基团为-F、-Br、-Cl、-CN和-NO3中的一种或多种。
5.一种权利要求1～4任一项所述复合材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：
将有机化合物与MoO3纳米材料溶解于醇类溶剂中，进行第一水热反应，得到所述有机化合物与MoO3纳米材料结合的复合材料；其中所述有机化合物为稠环烃或其衍生物。
6.根据权利要求5所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述有机化合物为并五苯，所述并五苯为未取代的并五苯或取代的并五苯。
7.根据权利要求5所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述第一水热反应的温度为150～180℃，所述第一水热反应的时间为18～30h。
8.根据权利要求5所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述MoO3纳米材料的制备方法包括步骤：
将钼源溶解于水中，加入酸，进行第二水热反应，得到所述MoO3纳米材料。
9.根据权利要求8所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述钼源为钼酸钠、钼酸胺、钼酸钾和钼酸镁中的一种或多种；
所述酸为硫酸、硝酸、盐酸中的一种或多种；
所述加入酸至pH1；
所述第二水热反应的温度为150～220℃；
所述第二水热反应的时间为18～30h。
10.一种量子点发光二极管，包括空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层包括权利要求1～4任一项所述的复合材料。
11.根据权利要求10所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层由MoO3纳米材料和有机化合物组成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
