[发明专利]晶圆产品源漏退火工艺的监控方法

说明书

本发明公开了一种晶圆产品源漏退火工艺的监控方法，包括：步骤一、在当前晶圆上设置多个测试单元，在当前晶圆上完成晶圆产品的源漏注入，源漏注入也同时注入到测试单元中；步骤二、采用应力记忆技术形成一层应力氮化硅；步骤三、进行源漏退火工艺；步骤四、去除应力氮化硅层；步骤五、测试多个测试单元的方块电阻并形成当前晶圆上的测试单元方块电阻面内分布并进而得到源漏退火工艺在当前晶圆上的当前晶圆温度面内分布；步骤六、根据当前晶圆温度面内分布调整晶圆产品的源漏退火工艺以提高下一晶圆温度面内分布的均匀性。本发明能及时对源漏退火工艺的温度面内分布进行监控，能提高晶圆产品的电阻和工作电流的均匀度，提高晶圆产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种晶圆产品源漏退火工艺的监控方法。

背景技术

晶圆产品是指由形成于晶圆上的半导体器件组成的产品，在半导体器件的源漏注入完成之后需要进行源漏退火工艺，源漏退火工艺会影响所形成的源区和漏区的导电性能最后会影响器件电阻即源漏电阻和工作电流；同时在结合了应力记忆技术(SMT) 时，在源漏注入完成之后，还会先形成采用SMT的应力氮化硅，之后在进行源漏退火工艺，这时源漏退火工艺还会将应力氮化硅的应力转移到源区和漏区以及栅极结构上并进而影响沟道区的应力，沟道区的应力改变也会影响器件的工作电流。由此可知，源漏退火工艺会影响器件的电阻和工作电流。但是，由于晶圆的尺寸通常较大，各个区域的工艺条件往往会有差别，例如相同的源漏退火工艺参数在晶圆的不同区域所达到的实际温度也有一定的偏差，最后会使得源漏退火工艺后，晶圆产品的电阻和工作电流在面内分布会不均匀。

现有方法中，业界对晶圆产品源漏退火工艺时电阻以及工作电流均匀度的监控是通过直接探针表征方法(DPCV)或晶圆可接受测试(WAT)获得。当晶圆通过直接探针表征方法或可接受测试测得电阻以及工作电流均匀度存在问题时，会对源漏退火工艺的退火温度进行调整，以保证饱和工作电流的均匀性。但晶圆产品经过源漏退火工艺到最后晶圆可接受测试需要时间，不能实时反馈调节。也即，进行DPCV和WAT测试时，需要在晶圆上完成了晶圆产品的所有工序，一片晶圆完成了所有工序时，后续多片晶圆早已经完成了源漏退火工艺，这使得在经过DPCV和WAT测试发现问题时，已经有很多晶圆完成了源漏退火工艺，这样会造成很多晶圆上的晶圆产品都会出现相同的问题，最后势必会影响产品的良率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种晶圆产品源漏退火工艺的监控方法，能在源漏退火工艺完成后即可实时对源漏退火工艺的温度面内分布进行监控并能及时作出调整，从而能使下一晶圆温度面内分布的均匀性得到提高，最后能提高晶圆产品的电阻和工作电流的均匀度，提高晶圆产品良率。

为解决上述技术问题，本发明提供的晶圆产品源漏退火工艺的监控方法包括如下步骤：

步骤一、在当前晶圆上设置多个测试单元，在所述当前晶圆上完成晶圆产品的源漏注入，所述源漏注入也同时注入到所述测试单元中。

步骤二、采用应力记忆技术在所述当前晶圆表面形成一层应力氮化硅。

步骤三、对所述当前晶圆进行所述晶圆产品的源漏退火工艺。

步骤四、去除所述当前晶圆上的所述应力氮化硅层。

步骤五、测试各所述测试单元的方块电阻并形成所述当前晶圆上的测试单元方块电阻面内分布并通过所述测试单元方块电阻面内分布得到所述晶圆产品的源漏退火工艺在所述当前晶圆上的当前晶圆温度面内分布。

步骤六、根据所述当前晶圆温度面内分布调整所述晶圆产品的源漏退火工艺以提高下一晶圆温度面内分布的均匀性。

进一步的改进是，同一种所述晶圆产品在多片晶圆上生产，在步骤六完成后，以所述下一晶圆作为所述当前晶圆，重复步骤一至步骤六。

进一步的改进是，所述当前晶圆由半导体衬底组成，所述下一晶圆和所述当前晶圆相同。