[发明专利]指纹识别基板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 202011281186.4 | 申请日: | 2020-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN112420791A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
| 发明(设计)人: | 耿越;李成;王奎元;祁朝阳;丰亚洁;代翼;李泽飞;李想 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鹏;解婷婷 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 指纹识别 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种指纹识别基板,其特征在于,包括基底、设置在所述基底上的指纹传感层和设置在指纹传感层远离所述基底一侧的准直滤光结构层,所述准直滤光结构层包括沿着远离所述基底方向依次设置的光孔层、光调制层和透镜层,所述光调制层用于调整所述透镜层的焦距和截止红外光线。
2.根据权利要求1所述的指纹识别基板,其特征在于,所述指纹传感层包括设置在所述基底上的薄膜晶体管和光电二极管;所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极,所述光电二极管包括第一电极、光电转换层和第二电极;所述薄膜晶体管的漏电极与所述光电二极管的第一电极同层设置。
3.根据权利要求2所述的指纹识别基板,其特征在于,所述指纹传感层还包括设置在所述薄膜晶体管远离所述基底一侧的第二绝缘层,所述第二绝缘层上设置有暴露出所述第一电极的第一过孔,所述光电转换层通过所述第一过孔与所述第一电极连接。
4.根据权利要求3所述的指纹识别基板,其特征在于,所述指纹传感层还包括设置在所述第二绝缘层远离所述基底一侧的平坦层和第三绝缘层,所述平坦层和第三绝缘层设置有暴露出所述光电转换层的第二过孔,所述第二电极设置在所述第三绝缘层上,通过所述第二过孔与所述光电转换层连接。
5.根据权利要求4所述的指纹识别基板,其特征在于,所述指纹传感层还包括设置在所述第二电极远离所述基底一侧的电源线,所述电源线在基底上的正投影包含所述薄膜晶体管的沟道区域在基底上的正投影。
6.根据权利要求2所述的指纹识别基板,其特征在于,所述光孔层设置在所述第二电极远离所述基底一侧,所述光孔层包括至少一个形成光线传输通道的光孔。
7.根据权利要求6所述的指纹识别基板,其特征在于,所述光孔层的厚度为5μm至10μm,所述光孔的孔径为3μm至8μm。
8.根据权利要求6所述的指纹识别基板,其特征在于,所述透镜层设置在所述光调制层远离所述基底一侧,所述透镜层包括至少一个透镜,所述至少一个透镜的焦点位于所述至少一个光孔的轴线上。
9.根据权利要求8所述的指纹识别基板,其特征在于,所述透镜层的厚度为5μm至10μm。
10.根据权利要求1至9任一项所述的指纹识别基板,其特征在于,所述光调制层包括反射型光调制层,所述反射型光调制层包括至少一个交替设置的第一子层和第二子层,所述第一子层的折射率与所述第二子层的折射率不同,所述反射型光调制层的厚度为30μm至50μm。
11.根据权利要求1至9任一项所述的指纹识别基板,其特征在于,所述光调制层包括吸收型光调制层,所述吸收型光调制层包括蓝绿色感光丙烯酸树脂,所述吸收型光调制层的厚度为30μm至50μm。
12.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~11任一项所述的指纹识别基板。
13.一种指纹识别基板的制备方法,其特征在于,包括:
在基底上形成指纹传感层;
在所述指纹传感层远离所述基底一侧形成准直滤光结构层;所述准直滤光结构层包括沿着远离所述基底方向依次设置的光孔层、光调制层和透镜层,所述光调制层用于调整所述透镜层的焦距和截止红外光线。
14.根据权利要求13所述的制备方法,其特征在于,在所述指纹传感层上形成准直滤光结构层,包括:
在所述指纹传感层上形成所述光孔层,所述光孔层包括至少一个光孔;
在所述光孔层上形成光调制层;
在所述光调制层上形成透镜层,所述透镜层包括至少一个透镜,所述至少一个透镜的焦点位于所述至少一个光孔的轴线上。
15.根据权利要求14所述的制备方法,其特征在于,
所述光调制层包括反射型光调制层,所述反射型光调制层包括至少一个交替设置的第一子层和第二子层,所述第一子层的折射率与所述第二子层的折射率不同;或者,
所述光调制层包括吸收型光调制层,所述吸收型光调制层包括蓝绿色感光丙烯酸树脂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





