[发明专利]一种基于P型硅片的太阳能电池片及其制备方法

权利要求书

1.一种基于P型硅片的太阳能电池片，包括P型硅片、形成于所述P型硅片正面的正面介质层、位于所述正面介质层上的正面电极、形成于所述P型硅片背面的背面介质层及位于所述背面介质层上的背面电极，其特征在于：所述P型硅片的局部掺杂铝而具有铝掺杂区域，所述正面电极包括铝层及形成于所述铝层之上的银层，所述铝层形成于所述铝掺杂区域上。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述正面电极为栅线状。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述正面介质层包括形成于所述P型硅片正面上的钝化层及层叠于所述钝化层上的减反层。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述P型硅片的背面形成有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层上层叠有N型多晶硅层，所述背面介质层层叠于所述N型多晶硅层上。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池片，其特征在于：所述背面电极为栅线状银电极，所述栅线状银电极穿过所述背面介质层而和所述N型多晶硅层形成金属接触。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述背面介质层为氮化硅保护层。

7.一种如权利要求1-6任一项所述的基于P型硅片的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

A、提供P型硅片；

B、在P型硅片的背面制备隧穿氧化层和本征多晶硅层；

C、磷扩散形成N型多晶硅层；

D、刻蚀去除硅片正面和边缘的磷硅玻璃、PN结和多晶硅；

E、正面制绒；

F、去除背面磷硅玻璃；

G、在硅片正面制备正面介质层；

H、在硅片背面制备背面介质层；

I、制备背面电极；在正面先印刷铝浆，烘干后再印刷银浆，烘干，烧结。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述步骤B中，采用热氧化或化学氧化制备所述隧穿氧化层，采用LPCVD、PECVD或PCD制备所述本征多晶硅层。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述步骤I中，在背面印刷栅线状银浆，烘干，烧结后背面银浆烧穿所述背面介质层而和所述N型多晶硅层形成金属接触。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述步骤I中，正面印刷栅线状的铝浆，烘干，然后正面印刷栅线状银浆并与铝浆对准，烘干，烧结后，正面铝浆烧穿所述正面介质层并在P型硅片上形成铝掺杂区域，铝与铝掺杂区域形成金属接触。