[发明专利]一种采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法

权利要求书

1.一种采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法，其特征在于，该方法选用氧化铝陶瓷管或石墨管为基体，气体体系为HMDS-H₂-Ar，具体包括以下步骤：

(1)对氧化铝陶瓷管或者石墨管内壁进行超声清洗处理5～15min，清洗剂为酒精或者丙酮；

(2)将氧化铝陶瓷管或者石墨管放入沉积腔体中，沉积时气体体系仅通过氧化铝陶瓷管或者石墨管的中心孔；

(3)开始沉积SiC，六甲基二硅烷液体流量为0.1～3g/min，H₂的流量为100～1000sccm，Ar流量为1000～6000sccm，沉积温度为650～1350℃，工作压强为10～1000Pa，沉积时间为30min～100h，所获管材为碳化硅管。

2.按照权利要求1所述的采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法，其特征在于，HMDS-H₂-Ar气体体系中，每种成分的纯度均为99％以上。

3.按照权利要求1所述的采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法，其特征在于，制备出的碳化硅管内径范围为0.1～5mm，外径范围为3～20mm，管材致密度在99％以上。

4.按照权利要求1所述的采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法，其特征在于，在升温过程中先通入H₂和Ar，待温度升到沉积温度之后，再通入液体原料HMDS。

5.按照权利要求1所述的采用化学气相沉积工艺制备碳化硅管的方法，其特征在于，步骤(3)中，优选的，HMDS液体流量为0.3～1.5g/min，H₂的流量为200～800sccm，Ar流量为2000～5000sccm，沉积温度为800～1200℃，工作压强为100～800Pa，沉积时间为5～50h。