[发明专利]多层基板表面处理层结构及其制造方法在审
| 申请号: | 202011259203.4 | 申请日: | 2020-11-12 |
| 公开(公告)号: | CN114121870A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
| 发明(设计)人: | 邱丕良 | 申请(专利权)人: | 巨擘科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多层 表面 处理 结构 及其 制造 方法 | ||
一种多层基板表面处理层结构:一介电层;至少一焊垫层,形成于该介电层上或内嵌于该介电层中;至少一保护金属层,形成于该至少一焊垫层上且与该焊垫层接合,其中该至少一保护金属层主要仅包覆该至少一焊垫层之一上表面,该至少一保护金属层系作为与一外部组件焊接或接触之区域;以及一防焊层,形成于该介电层上且具有至少一开孔以曝露该至少一保护金属层。
技术领域
本揭示涉及多层基板技术领域,特别是涉及一种多层基板表面处理层结构及其制造方法。
背景技术
请参阅图1,图1显示现有的多层基板表面处理层结构的示意图。
该多层基板表面处理层结构包括一介电层100、一导电种子层102、一焊垫层(padlayer)104、一保护金属层106以及一防焊层(solder mask layer)108。
制作该多层基板表面处理层结构时,先利用一光阻层(未图示)在该介电层100上方形成一凹槽110,再以溅镀或蒸镀等干式方法将该导电种子层102形成于该凹槽110底部,并与该介电层100接合,该导电种子层102做为该焊垫层104之种子(seed),接着移除该光阻层(未图示),利用电镀(electroplating)或化学镀(electroless plating)以该导电种子层102为中心往上及往旁边长出该焊垫层104,再利用电镀或化学镀于该焊垫层104上方及旁边形成该保护金属层106以完全包覆该焊垫层104,最后形成该防焊层108并部分露出或全部露出该保护金属层106。
欲将一外部组件焊接于铜材质之焊垫层104时,会使用锡材或其他焊剂以黏接该外部组件与该焊垫层104,该保护金属层106的目的即在于避免锡材或其他焊剂与该焊垫层104的铜接触产生互熔并形成介金属化合物(InterMetallicCompound,IMC),导致该多层基板表面处理层结构脆弱,产品可靠度降低。
请参阅图2,图2显示另一现有的多层基板表面处理层结构的示意图。
图2之多层基板表面处理层结构与图1之多层基板表面处理层结构的差异在于在形成该导电种子层102后,不移除该光阻层(未图示),利用电镀或化学镀在该导电种子层102上形成该焊垫层104,然后才移除该光阻层(未图示)。
于图1与图2之多层基板表面处理层结构中,可以先形成该防焊层108,于该防焊层108形成一凹槽110,再于该凹槽110中形成该导电种子层102、该焊垫层104及该保护金属层106。也可以先完成焊垫层104及保护金属层106后再施作防焊层108,并在防焊层108中开口,露出保护金属层106。
然而,利用电镀或化学镀形成该焊垫层104及该保护金属层106时,会往该导电种子层102的旁边扩充,使该焊垫层104及该保护金属层106变宽,如图1所示。一般而言,若该焊垫层104的厚度为10微米(micrometer,μm),该焊垫层104一边的宽度会比该导电种子层102往外扩展约2至4微米,也就是说该焊垫层104整体(两边)的宽度会比该导电种子层102往外扩展约4至8微米。该保护金属层106整体(两边)的宽度会比该导电种子层102往外扩展约6至10微米。
图2之多层基板表面处理层结构中,该保护金属层106整体(两边)的宽度也会比该导电种子层102往外扩展约6至10微米。
再者,利用电镀或化学镀形成该焊垫层104及该保护金属层106均需在溶液中进行时,许多因素包括浓度、温度、材质等等皆会影响该焊垫层104及该保护金属层106往外扩展之范围,而使得最终含保护金属层之焊垫层之大小变得难以控制。
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