[发明专利]高压电子模拟负载用多场效应管并联组件在审
| 申请号: | 202011256695.1 | 申请日: | 2020-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN112311208A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
| 发明(设计)人: | 包兴富;陈昌军;林筱 | 申请(专利权)人: | 四川灵通电讯有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/06 | 分类号: | H02M1/06;H02M1/32 |
| 代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人: | 贾晓燕 |
| 地址: | 621000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高压 电子 模拟 负载 场效应 并联 组件 | ||
1.一种高压电子模拟负载用多场效应管并联组件,其特征在于,包括n个同型号且呈并联状的场效应管;
其中,各场效应管的漏极与高压电源的高电位端之间串联有相配合的熔断器,各场效应管的源极与高压电源的低电位端之间串联有相配合的均流电阻,各场效应管的栅极与驱动电路之间串联有相配合的驱动电阻。
2.如权利要求1所述的高压电子模拟负载用多场效应管并联组件,其特征在于,所述高压电源的高电位端与驱动端、驱动端与高压电源的低电位端分别设置有相配合的瞬态抑制二极管。
3.如权利要求1所述的高压电子模拟负载用多场效应管并联组件,其特征在于,所述场效应管的个数被设置为额定数量的2倍或2倍以上。
4.如权利要求1所述的高压电子模拟负载用多场效应管并联组件,其特征在于,各均流电阻的阻值被配置为满足以下公式:
((I/n×R)(VGS(th)max-VGS(th)min)
其中,所述I/n×R表示第n个均流电阻的阻值,所述VGS(th)max表示开通栅源极间电压的最大值,VGS(th)min表示开通栅源极间电压的最小值。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置





