[发明专利]一种吸气薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号: | 202011223916.5 | 申请日: | 2020-11-05 |
| 公开(公告)号: | CN112323015A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
| 发明(设计)人: | 张剑;张于光;郭明哲;胡玮 | 申请(专利权)人: | 昆山联德电子科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/02 | 分类号: | C23C14/02;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人: | 李小叶 |
| 地址: | 215326 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 吸气 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种吸气薄膜,其特征在于,其是由依次在基材表面上生长的打底层和吸气层组成,该打底层是由Cr构成,该吸气层是由Pd构成;所述打底层和吸气层均为柱状晶粒结构。
2.根据权利要求1所述的一种吸气薄膜,其特征在于:所述基材为热管、水冷板或均温板。
3.根据权利要求1所述的一种吸气薄膜,其特征在于,打底层中的Cr的纯度为99.95%以上,吸气层中的Pd的纯度为99.95%以上。
4.根据权利要求1所述的一种吸气薄膜,其特征在于,所述打底层的厚度为0.001~10μm,所述吸气层的厚度为0.1~10μm。
5.根据权利要求1所述的一种吸气薄膜,其特征在于,所述打底层和吸气层均是通过磁控溅射的方法沉积而成。
6.权利要求1至5任一项所述的一种吸气薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)准备基材,利用碳酸钠去脂剂对基材进行清洗;
(2)将清洗后的基材放置于烤箱中,于25~100℃的温度条件下,烘烤1~60min;
(3)对经过步骤(2)处理后的基材进行辉光清洗,辉光清洗的电压为100~1000V,工作压强为1~100Pa,清洗时间为5~60min;
(4)在基材上利用磁控溅射的方法沉积Cr薄膜,作为打底层;
(5)在打底层上利用磁控溅射的方法沉积Pd薄膜,作为吸气层。
7.根据权利要求6所述的一种吸气薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(4)和步骤(5)中,制备打底层和吸气层时,沉积室的真空度达到6.0×10-5~3×10-3Pa,沉积过程中的工作压强为0.1~2.0Pa,溅射电流为0.01~10A,功率密度为10~200W/cm2,沉积时间为1~200min。
8.权利要求1至5任一项所述的吸气薄膜在热管、水冷板或均温板上的应用。
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