[发明专利]发光芯片的制作方法

说明书

本发明涉及一种发光芯片的制作方法，发光芯片在电流传导层与绝缘层之间设置有金属反射层，该金属反射层可以将发光层发出的光反射到出光面，增加发光芯片的光反射面积，可提升发光芯片的反射效率，进而提升了发光芯片的光电转换效率；另外，在电流传导层与绝缘层之间设置的金属反射层由于也具有导电性能，且其电阻值一般低于电流传导层，更有利于电流的横向传导，从而提升发光层的利用率，降低电压，进一步提升发光芯片的光电转换效率。显示背板采用了具有更高光电转换率的发光芯片作为光源，因此其显示效果更好，用户体验的满意度更高。

技术领域

本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种发光芯片的制作方法。

背景技术

目前，Mini-LED芯片和Micro-LED芯片的技术日益成熟，且二者都有着良好的市场前景。但是目前的Mini-LED芯片和Micro-LED芯片的结构中，主要通过位于外延层表面的绝缘层以及与外延层电连接的电极，将发光层发出的光反射到出光面，反射效率相对较差，导致Mini-LED芯片和Micro-LED芯片出光面的光电转换率较低。

因此，如何提升Mini-LED芯片和Micro-LED芯片出光面的光电转换率，是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光芯片的制作方法，旨在解决现有技术中，Mini-LED芯片和Micro-LED芯片出光面的光电转换率低的问题。

一种发光芯片，包括：

外延层，所述外延层包括从下往上依次叠加的第二半导体层、发光层以及第一半导体层；

形成于所述第一半导体层上的电流传导层；

形成于所述电流传导层上的金属反射层；

贯穿所述第一半导体层、电流传导层、金属反射层的第一凹槽，所述第一凹槽底部与所述第二半导体层相通；

将所述金属反射层覆盖，以及将所述电流传导层、第一半导体层、发光层和第二半导体层的侧面以所述第一凹槽的内壁覆盖的绝缘层；

以及穿过所述绝缘层与所述第一半导体层电连接的第一电极，和设置于所述第一凹槽内与所述第二半导体层电连接的第二电极。

上述发光芯片在电流传导层与绝缘层之间设置有金属反射层，该金属反射层也可以将发光层发出的光反射到出光面，增加发光芯片的光反射面积，可提升发光芯片的反射效率，进而提升了发光芯片的光电转换效率；另外，金属反射层由于具有较好的导电性能，更有利于电流的横向传导，从而提升发光层的利用率，降低电压，可进一步提升发光芯片的光电转换效率。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种发光芯片的制作方法，包括：

在基板的正面上形成外延层，所述外延层包括在所述基板的正面上从下往上依次叠加的第二半导体层、发光层以及第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成电流传导层；

在所述电流传导层上形成金属反射层；

形成贯穿所述第一半导体层、电流传导层、金属反射层的第一凹槽，所述第一凹槽底部与所述第二半导体层相通；

形成将所述金属反射层覆盖，以及将所述电流传导层、第一半导体层、发光层和第二半导体层的侧面及所述第一凹槽的内壁覆盖的绝缘层；

形成穿过所述绝缘层与所述第一半导体层电连接的第一电极，以及设置于所述第一凹槽内与所述第二半导体层电连接的第二电极。

上述发光芯片的制作方法简单易实现，制作效率高成本低，且制得的发光芯片的出光面具有更高的光电转换率。