[发明专利]发光芯片的制作方法

权利要求书

1.一种发光芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在基板的正面上形成外延层，所述外延层包括在所述基板的正面上从下往上依次叠加的第二半导体层、发光层以及第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成电流传导层；

在所述电流传导层上形成金属反射层，且所述电流传导层上待形成第一凹槽的区域外露于所述金属反射层；

以所述金属反射层为掩膜，沿所述电流传导层上外露于所述金属反射层的区域蚀刻掉所述电流传导层、所述第一半导体层以及所述发光层，得到的与所述第二半导体层相通的所述第一凹槽；

在所述金属反射层上形成将所述金属反射层覆盖，以及将所述电流传导层、第一半导体层、发光层和第二半导体层的侧面及所述第一凹槽的内壁覆盖的绝缘层；

形成穿过所述绝缘层与所述第一半导体层电连接的第一电极，以及设置于所述第一凹槽内与所述第二半导体层电连接的第二电极。

2.如权利要求1所述的发光芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述电流传导层上形成金属反射层包括：

在所述电流传导层上待形成所述第一凹槽的区域形成光刻胶层；

形成将所述电流传导层和光刻胶层覆盖的金属反射层；

去除所述光刻胶层，使得所述电流传导层上待形成所述第一凹槽的区域外露于所述金属反射层。

3.如权利要求1或2所述的发光芯片的制作方法，其特征在于，所述形成穿过所述绝缘层与所述第一半导体层电连接的第一电极包括：

在所述绝缘层上形成贯穿所述绝缘层的第二凹槽，所述第二凹槽的底部与所述金属反射层相通，在所述金属反射层上形成穿过所述第二凹槽的第一电极；

或，

在所述绝缘层上形成贯穿所述绝缘层以及金属反射层的第三凹槽，所述第三凹槽的底部与所述电流传导层相通，在所述电流传导层上形成穿过所述第一凹槽的第一电极；

或，

在所述绝缘层上形成贯穿所述绝缘层、金属反射层以及电流传导层的第四凹槽，所述第四凹槽的底部与所述第一半导体层相通，在所述第一半导体层上形成穿过所述第一凹槽的第一电极。