[发明专利]离子发生装置以及半导体制造设备

说明书

本发明公开了一种离子发生装置及半导体制造设备，离子发生装置包括电弧室、喷嘴和气源，电弧室用于产生电弧，喷嘴与电弧室配合，喷嘴上设有多个与电弧室的内部连通的喷射孔，气源与喷嘴连通，用于为电弧室供给气体。当离子发生装置启动时，气源的气体经喷嘴的各喷射孔进入到电弧室的内部，由于在喷嘴上设置多个喷射孔，进入到电弧室的气体更加分散，从而提高了气体在电弧室的内部的均匀性，从而提高了气体的离子化效率，另外，减少了气体的使用量，使得生产制造的成本得到了降低。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种离子发生装置。本发明还涉及一种半导体制造设备。

背景技术

本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。

离子注入是半导体制造工艺中常用的离子掺杂工艺，所注入的离子通常由离子发生装置产生。离子发生装置通常包括电弧室、气源、管路以及喷嘴，其中，喷嘴与电弧室的内部连通，气源通过管路与喷嘴连通，气源的气体经管路及喷嘴进入电弧室，电弧室将进入电弧室的气体电离后输出，从而为半导体制造提供离子。

现有技术中，喷嘴上只有一个喷射孔，使得经喷射孔进入到电弧室的内部的气体浓度不均匀(靠近喷射孔的气体浓度高，远离喷射孔的气体浓度低)，从而导致气体的离子化效率低，同时也造成了气体的浪费。

发明内容

本发明的第一方面提出了一种离子发生装置，用于半导体制造设备，所述离子发生装置包括：

电弧室，所述电弧室用于产生电弧；

喷嘴，所述喷嘴与所述电弧室配合，所述喷嘴上设有多个与所述电弧室的内部连通的喷射孔；

气源，所述气源与所述喷嘴连通，用于为所述电弧室供给气体。

本发明的第二方面提出了一种半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备包括离子发生装置，所述离子发生装置为根据如上所述的离子发生装置。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的附图标记表示相同的部件。在附图中：

图1示意性地示出了根据本发明实施方式的离子发生装置的局部结构示意图；

图2为图1中所示的离子发生装置的喷嘴及部分管路的结构示意图；

图3为图2中所示的喷嘴的局部剖视图。

附图标记如下：

100为离子发生装置；

10为电弧室，11为安装孔；

20为喷嘴，21为第一段，211为喷射孔，2111为锥形段，2112为圆柱段，22为第二段；

30为管路。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。