[发明专利]显示面板和薄膜晶体管的制造方法及其制造设备有效
| 申请号: | 202011209926.3 | 申请日: | 2020-11-03 |
| 公开(公告)号: | CN112542386B | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
| 发明(设计)人: | 刘凯军;周佑联;许哲豪;袁海江 | 申请(专利权)人: | 北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
| 地址: | 536000 广西壮族自治区北海市工业园区北海大*** | 国省代码: | 广西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 薄膜晶体管 制造 方法 及其 设备 | ||
1.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,包括步骤:
在衬底上形成未结晶的有源层;
在所述有源层上方形成遮光层;
在所述遮光层上方用激光对所述有源层进行结晶化处理;
所述遮光层宽度小于对应的所述有源层的宽度;
其中,所述有源层上方还依次设置缓冲层、金属层和辅助层,所述遮光层铺设在所述辅助层表面;
所述在所述遮光层上方用激光对所述有源层进行结晶化处理步骤后还包括:
刻蚀所述遮光层和辅助层;
蚀刻所述金属层形成所述薄膜晶体管的源极和漏极。
2.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,采用喷墨方式在所述辅助层的表面形成所述遮光层。
3.如权利要求2所述的一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,所述喷墨方式包括步骤:
记录待生产的所述薄膜晶体管的坐标位置;
根据所述坐标位置移动喷头;
拍摄所述薄膜晶体管的图案;
根据所述图案修正所述喷头的位置;以及
在所述辅助层的表面喷涂形成所述遮光层;
所述喷头有多个,对应不同行或列的所述薄膜晶体管;位于同一行或列的多个所述薄膜晶体管,采用一次喷涂方式形成所述遮光层。
4.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,所述遮光层的厚度在1um-5um之间。
5.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,所述遮光层的宽度在0.5um-2um之间。
6.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,所述辅助层材料为单晶硅或多晶硅;所述遮光层包括黑色光阻材料。
7.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层上方的源极和漏极,所述源极和漏极之间形成沟道区域,每个所述沟道区域对应设有两个遮光层,所述遮光层对应设置在所述沟道区域两侧的上方位置。
8.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,
在衬底上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、缓冲层、金属层和辅助层;
在所述金属层的表面设置辅助层;
采用喷墨方式在所述辅助层表面形成遮光层;
在所述遮光层上方用激光对所述有源层进行结晶化处理;
刻蚀所述辅助层;以及
通过刻蚀移除多余的所述有源层、所述缓冲层和所述金属层,形成所述薄膜晶体管;
其中,通过刻蚀移除多余的所述金属层形成源极和漏极,所述源极和所述漏极之间形成沟道区域;每个所述沟道区域对应设有两个遮光层,所述遮光层对应设置在所述沟道区域两侧的上方位置;相应的,所述有源层在所述遮光层的对应位置形成两个未导体化区域;结晶前的所述有源层材料包括非晶硅;所述辅助层材料包括单晶硅或多晶硅。
9.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括如权利要求1-7任意一项所述的薄膜晶体管的制造方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





