[发明专利]接触结构的制作方法

权利要求书

1.一种接触结构的制作方法，包括：

提供基底，其中该基底包括第一区与第二区；

在该基底上形成介电层；

在该介电层上形成光致抗蚀剂层；

进行曝光制作工艺，其中该曝光制作工艺包括：

多个第一曝光步骤，其中各该第一曝光步骤是对该基底的该第一区的一部分进行；以及

多个第二曝光步骤，其中各该第二曝光步骤是对该基底的该第二区的一部分进行，且各该第二曝光步骤是在以第一预定距离形成的第一叠对偏移的状况下进行；以及

进行显影制作工艺，用以于该光致抗蚀剂层中形成多个开口。

2.如权利要求1所述的接触结构的制作方法，其中该曝光制作工艺还包括在叠对偏移的状况下进行的多个偏移曝光步骤，各该偏移曝光步骤的该叠对偏移不同于该第一叠对偏移，且该多个偏移曝光步骤中的至少两个偏移曝光步骤的该多个叠对偏移彼此不同。

3.如权利要求1所述的接触结构的制作方法，其中各该第一曝光步骤是以光掩模进行，且各该第二曝光步骤是以该光掩模进行。

4.如权利要求3所述的接触结构的制作方法，其中各该第二曝光步骤包括：

进行对准步骤，用以对准该基底与该光掩模；

调整该光掩模的位置或该基底的位置，用以产生该第一叠对偏移；以及

在该第一叠对偏移下，以曝光光线穿过该光掩模的一部分而照射该基底。

5.如权利要求3所述的接触结构的制作方法，其中各该第一曝光步骤包括：

进行对准步骤，用以对准该基底与该光掩模；以及

在该基底与该光掩模之间无刻意叠对偏移的状况下，以曝光光线穿过该光掩模的一部分而照射该基底。

6.如权利要求3所述的接触结构的制作方法，还包括：

在形成该介电层之前，在该基底的该第一区中形成第一主动区；以及

在形成该介电层之前，在该基底的该第二区中形成第二主动区，其中该介电层覆盖该第一主动区与该第二主动区。

7.如权利要求6所述的接触结构的制作方法，其中该光掩模包括接触图案，通过该接触图案在该多个第一曝光步骤的至少一个中于该光致抗蚀剂层中形成的第一被曝光区域与该第一主动区的一部分重叠，且通过该接触图案在该多个第二曝光步骤的至少一个中于该光致抗蚀剂层中形成的第二被曝光区域与该第二主动区的一部分重叠。

8.如权利要求7所述的接触结构的制作方法，其中与该第二被曝光区域重叠的该第二主动区的该部分的面积小于与该第一被曝光区域重叠的该第一主动区的该部分的面积。

9.如权利要求7所述的接触结构的制作方法，还包括：

在形成该介电层之前，在该基底的该第一区上形成第一栅极结构；以及

在形成该介电层之前，在该基底的该第二区上形成第二栅极结构，其中该介电层覆盖该第一栅极结构与该第二栅极结构。

10.如权利要求9所述的接触结构的制作方法，其中该第一被曝光区域与 该第一栅极结构的一部分重叠，且该第二被曝光区域与该第二栅极结构的一部分重叠。

11.如权利要求10所述的接触结构的制作方法，其中与该第二被曝光区域重叠的该第二栅极结构的该部分的面积大于与该第一被曝光区域重叠的该第一栅极结构的该部分的面积。

12.如权利要求9所述的接触结构的制作方法，其中该第二栅极结构与该第二主动区于水平方向上相邻设置，且该第一叠对偏移是沿该水平方向上产生。

13.如权利要求1所述的接触结构的制作方法，其中该基底还包括第三区，该曝光制作工艺还包括多个第三曝光步骤，且各该第三曝光步骤是对该基底的该第三区的一部分进行。