[发明专利]温郁金脱毒苗培养方法

权利要求书

1.温郁金脱毒苗培养方法，其特征是依次包括以下步骤：

1)、取材：

选取温郁金的主根茎进行催芽，直至在主根茎上获得长度为1±0.1cm的健壮芽；

割取健壮芽后进行清洗；

2)、种子的诱导萌发与分化：

将步骤1)所得的芽经消毒后，剥去外层芽鞘，挑取0.5～1mm大小的生长点接入诱导萌发分化培养基中进行培养；直至得1.5～2cm高的脱毒幼苗；

培养条件为：

每天14小时光照，光照强度30～40μmol m^-2·s^-1，温度为26±1℃；10小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；

3.1)、幼苗的增殖：

将步骤2)所得的脱毒幼苗转接于增殖培养基上进行增殖培养，培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmolm^-2s^-1，温度为26±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；

当增殖培养40～45天后，分成以下两种情况：

情况一、将上述丛生苗从基部进行分割形成单株小苗，进行下述步骤3.2)的重复培养；

情况二、继续在增殖培养基上进行培养，直至丛生苗上的新苗高为≥3cm、且每个丛生苗带有至少2个新苗时；将上述丛生苗从基部进行分割形成单株小苗；

3.2)、重复培养：

将步骤3.1)的情况一割取的单株小苗，替代步骤2)所得的脱毒幼苗，按照上述3.1)进行增殖的重复培养；

4)、生根壮苗：

将步骤3.1)情况二所得的单株小苗，转移到生根壮苗培养基上进行培养；

培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmoLm^-2s^-1，温度为26±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；

待生根壮苗培养基上的小苗长到≥5cm高、且长出长度大于2cm的根至少2条时，结束培养；得可出瓶种植的种苗。

2.根据权利要求1所述的温郁金脱毒苗培养方法，其特征是：

所述步骤2)中的诱导萌发分化培养基为：MS+6-BA 1.95～2.05mg/L+NAA0.05～0.15mg/L+蔗糖25～35g/L+琼脂5～8g/L，pH为5.5～6。

3.根据权利要求2所述的温郁金脱毒苗培养方法，其特征是：

步骤3)中的增殖培养基为：MS+6-BA 1.95～2.05mg/L+蔗糖35～45g/L+琼脂7～9g/L，pH为5.5～6。

4.根据权利要求3所述的温郁金脱毒苗培养方法，其特征是：

步骤4)中的生根壮苗培养基为以下任何一种：

MS+6-BA1.95～2.05mg/L+NAA0.45～0.55mg/L+蔗糖35～45g/L+琼脂7～9g/L+活性炭0.3～0.7g/L，pH为5.5～6；

MS+6-BA2.95～3.05mg/L+蔗糖35～45g/L+琼脂7～9g/L+0.3～0.7g/L活性炭，pH为5.5～6。

5.根据权利要求1～4任一所述的铁皮石斛的组培快速繁殖方法，其特征是：还包括步骤5)的移栽：将种苗进行移栽。

6.根据权利要求5所述的铁皮石斛的组培快速繁殖方法，其特征是：

所述步骤5)为：

首先将所得可出瓶种植的种苗同培养容器转移至拟驯化移栽的遮阴大棚中炼苗5～7天；

然后打开瓶盖，在生根壮苗培养基表面浇水，水的用量为步骤4)起始所用生根壮苗培养基体积的9～11％，再于遮阴大棚中下放置2-3天后，将种苗基部的生根壮苗培养基洗净，浸入0.5％的多菌灵水溶液中1小时，取出晾干至根系发白；

最后将种苗移栽于混合基质中，于遮阴大棚中进行培养；

所述遮阴大棚的透光率为60±5％，遮阴大棚内温度为28～35℃，相对湿度为80±5％；

所述混合基质为泥炭土、育苗基质和珍珠岩按照1:1:1的体积比混合获得。

7.根据权利要求6所述的铁皮石斛的组培快速繁殖方法，其特征是：

所述步骤1)为：

选取温郁金主根茎，除去泥土和须根，埋入经0.5％多菌灵溶液浸泡至少8小时的细沙土中，置于38±1℃恒温箱中催芽，直至在主根茎上获得长度为1±0.1cm的健壮芽；

从主根茎上割取所述健壮芽，洗掉芽基部沙土，将其清洗。