[发明专利]半导体制程系统以及处理半导体晶圆的方法

说明书

一种半导体制程系统以及处理半导体晶圆的方法，半导体制程系统在制程腔室中处理半导体晶圆。制程腔室包括用于在腔室内执行半导体制程的半导体处理设备。制程腔室包括与制程腔室的一或多个部件整合在一起的热管。热管有效地将来自腔室内的热转移至腔室外部。

技术领域

本揭示内容是关于半导体制程系统以及处理半导体晶圆的方法。

背景技术

半导体晶圆是在半导体处理设备中处理。半导体晶圆经历大量制程，包括薄膜沉积、光阻剂图案化、蚀刻制程、掺杂剂布植制程、退火制程及其他类型的制程。许多此些制程执行在半导体制程腔室中。为了在各种半导体制程中实现均匀的结果，将半导体制程腔室中的温度维持在选定范围内是有益的。

然而，半导体制程腔室内的温度可能是难以控制的。半导体制程时常利用加热器来升高半导体制程腔室内的温度。然而，可能难以自半导体制程腔室消散足够的热，以确保半导体制程腔室的温度不会升高至高于选定水平或在选定范围之外。若无法在半导体制程环境内良好地控制温度，则有可能半导体晶圆将具有不佳的均匀性、不如预期的效能特性，或可能需要完全报废。

发明内容

本揭示内容的实施方式中的一态样提供一种半导体制程系统，包括：加热器、定义内部体积的壁、定位在内部体积中，并且配置以固持一或多个半导体晶圆的晶圆支撑件，以及定位在内部体积中的沉积护罩。沉积护罩包括第一表面、第二表面，及定位在第一表面与第二表面之间的热管蒸汽腔室。

本揭示内容的实施方式中的另一态样为一种半导体制程系统，包括：半导体制程腔室、晶圆支撑件、加热器、以及热管。半导体制程腔室定义内部体积。晶圆支撑件定位在半导体制程腔室内，并且配置以在半导体制程期间固持半导体晶圆。加热器经定位以加热内部体积。热管经定位以接收来自内部体积的热。

本揭示内容的实施方式中的又一态样为一种处理半导体晶圆的方法，包括：在半导体制程腔室中支撑半导体晶圆；通过加热器将热输出至半导体制程腔室中；对定位在半导体制程腔室内的半导体晶圆执行半导体制程；以及通过热管转移来自半导体制程腔室内的热。

附图说明

当结合随附诸图阅读时，得以自以下详细描述最佳地理解本揭示案的态样。应注意，根据行业上的标准实务，各种特征未按比例绘制。事实上，为了论述清楚，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1为根据一些实施方式的半导体制程系统的方块图；

图2A为根据一些实施方式的包括形成为热管的沉积护罩的半导体制程系统的侧视剖面图；

图2B为根据一个实施方式的图2A的沉积护罩的俯视图；

图2C为根据一个实施方式的图2A的沉积护罩的侧视图；

图2D为根据一实施方式的加热器衬垫的示意图；

图3A及图3B为根据一些实施方式的蒸汽腔室式热管的示意图；

图4A及图4B为根据一些实施方式的热管的示意图；

图5为根据一些实施方式的用于处理半导体晶圆的方法的流程图。

【符号说明】

100:半导体制程系统

102:半导体制程腔室

103:内部体积

104:处理设备

106:晶圆

108:加热器

109a:电线

109b:电线

110:温度感测器

111a:加热器衬垫