[发明专利]凸面双闪耀光栅制备方法、装置及凸面双闪耀光栅

权利要求书

1.一种凸面双闪耀光栅制备方法，其特征在于，所述凸面双闪耀光栅制备方法包括：

通过双光束曝光法对已涂布光刻胶的凸面基底进行光刻处理，以获取光刻胶光栅，所述光刻胶光栅包括不同的预设光栅区域；

根据各预设光栅区域对应的预设闪耀角获取对应预设光栅区域的同质掩模槽形；

基于各预设光栅区域的同质掩模槽形，以所述光刻胶为掩模对对应的预设光栅区域进行离子束刻蚀，以获取石英掩模光栅；

通过分区遮蔽方法以石英为掩模，对所述石英掩模光栅进行倾斜扫面离子束刻蚀，获得凸面双闪耀光栅。

2.如权利要求1所述的凸面双闪耀光栅制备方法，其特征在于，所述根据各预设光栅区域对应的预设闪耀角获取对应预设光栅区域的同质掩模槽形的步骤，具体包括：

根据各预设光栅区域对应的预设闪耀角获取对应预设光栅区域的离子束刻蚀角度；

根据所述离子束刻蚀角度获取掩模顶端刻蚀速率与掩模侧壁刻蚀速率；

根据所述掩模顶端刻蚀速率与所述掩模侧壁刻蚀速率确定掩模光栅脊高宽比，根据所述掩模光栅脊高宽比确定同质掩模槽形。

3.如权利要求2所述的凸面双闪耀光栅制备方法，其特征在于，所述根据所述离子束刻蚀角度获取掩模顶端刻蚀速率与掩模侧壁刻蚀速率的步骤，具体包括：

根据所述离子束刻蚀角度获取刻蚀速度；

根据所述离子束刻蚀角度及所述刻蚀速度获取掩模顶端刻蚀速率与掩模侧壁刻蚀速率。

4.如权利要求3所述的凸面双闪耀光栅制备方法，其特征在于，所述基于各预设光栅区域的同质掩模槽形，以所述光刻胶为掩模对对应的预设光栅区域进行离子束刻蚀，以获取石英掩模光栅的步骤，具体包括：

根据各预设光栅区域的同质掩模槽形的掩模光栅脊高宽比，获取离子束刻蚀时间；

根据所述离子束刻蚀时间以所述光刻胶为掩模，对对应的预设光栅区域进行离子束刻蚀，以获取石英掩模光栅。

5.如权利要求4所述的凸面双闪耀光栅制备方法，其特征在于，所述预设光栅区域包括第一预设区域及第二预设区域；

所述根据各预设光栅区域的同质掩模槽形的掩模光栅脊高宽比，获取离子束刻蚀时间的步骤，具体包括：

根据第一预设区域对应的同质掩模槽形的第一掩模光栅脊高宽比获取第一离子束刻蚀时间；

根据第二预设区域对应的同质掩模槽形的第二掩模光栅脊高宽比获取第二离子束刻蚀时间。

6.如权利要求5所述的凸面双闪耀光栅制备方法，其特征在于，所述根据所述离子束刻蚀时间以所述光刻胶为掩模，对对应的预设光栅区域进行离子束刻蚀，以获取石英掩模光栅的步骤，具体包括：

根据所述第一离子束刻蚀时间以光刻胶为掩模对第一预设区域进行离子束与反应离子束组合刻蚀；

根据所述第二离子束刻蚀时间以光刻胶为掩模对第二预设区域进行离子束与反应离子束组合刻蚀，以获得石英掩模光栅。

7.如权利要求5或6所述的凸面双闪耀光栅制备方法，其特征在于，所述通过分区遮蔽方法以石英为掩模，对所述石英掩模光栅进行倾斜扫面离子束刻蚀，获得凸面双闪耀光栅的步骤，具体包括：

在所述第一预设区域被遮蔽时，以石英为掩模对所述第二预设区域进行倾斜扫面离子束刻蚀；

在所述第二预设区域被遮蔽时，以石英为掩模对所述第一预设区域进行倾斜扫面离子束刻蚀，获得凸面双闪耀光栅。

8.一种凸面双闪耀光栅制备装置，其特征在于，所述凸面双闪耀光栅制备装置包括：

光刻模块，用于通过双光束曝光法对已涂布光刻胶的凸面基底进行光刻处理，以获取光刻胶光栅，所述光刻胶光栅包括不同的预设光栅区域；

槽形模拟模块，用于根据各预设光栅区域对应的预设闪耀角获取对应预设光栅区域的同质掩模槽形；

槽形获取模块，用于基于各预设光栅区域的同质掩模槽形，以所述光刻胶为掩模对对应的预设光栅区域进行离子束刻蚀，以获取石英掩模光栅；

光栅获取模块，用于通过分区遮蔽方法以石英为掩模，对所述石英掩模光栅进行倾斜扫面离子束刻蚀，获得凸面双闪耀光栅。

9.一种凸面双闪耀光栅，其特征在于，所述凸面双闪耀光栅采用如权利要求1至7任一项所述凸面双闪耀光栅制备方法进行制备。