[发明专利]一种Micro-LED阵列的修补设备及修补方法在审

专利信息
申请号: 202011175086.3 申请日: 2020-10-28
公开(公告)号: CN112271150A 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: 黄青青;谈江乔;刘鉴明;柯志杰 申请(专利权)人: 厦门乾照半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L25/075;G09F9/33
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李晓光
地址: 361100 福建省厦门市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 micro led 阵列 修补 设备 方法
【说明书】:

发明提供了一种Micro‑LED阵列的修补设备及修补方法,该修补设备通过电磁力或真空吸附的方式修补临时衬底上Micro‑LED阵列的多芯问题或少芯问题,通过设置X方向驱动轴、Y方向驱动轴和Z方向驱动轴,以及对载物台可旋转的设计,提高了定位精度和操作的便利性,进而降低了巨量转移的成本和难度,提高了芯片良率。

技术领域

本发明涉及Micro-LED芯片巨量转移技术领域,更具体地说,涉及一种Micro-LED阵列的修补设备及修补方法。

背景技术

Micro-LED技术是新一代的显示技术,Micro-LED芯片具有功耗低、亮度高、发光效率高、响应时间短、寿命长、可靠性高、超高分辨率和色彩饱和度等优点。

由于Micro-LED的小尺寸特性,要将Micro-LED技术应用于显示领域,目前最大的难点就是巨量转移技术。

目前,主流的巨量转移技术主要有stamp-up印章法,主要利用静电力、磁力和范德华力等机型抓取和释放Micro-LED;流体自组装法,主要通过流体的流动使Micro-LED芯片落入衬底对应的井中;RollPrinting转印法,主要通过印刷技术实现巨量转移;以及采用图案化激光方式的Selective Release选择性释放法。

其中,相对于其它三种方法,图案化激光法无需经过拾取或切割环节,也不需要设计特定的衬底,可有效提高巨量转移效率。

参考图1,图1为现有技术中巨量转移之后的Micro-LED数量示意图。目前的激光转移技术一般是先将Micro-LED芯片11释放到一个临时衬底12上,之后再与TFT基板键合,而在这一过程中经常会出现Micro-LED芯片阵列多芯或少芯的现象,影响后续键合的良率,加大巨量转移的成本和难度。

发明内容

有鉴于此,为解决上述问题,本发明提供一种Micro-LED阵列的修补设备及修补方法,技术方案如下:

一种Micro-LED阵列的修补设备,所述修补设备包括:

承载台,所述承载台上具有至少两个载物台,其中一个载物台用于放置含有Micro-LED芯片阵列的临时衬底,另一个载物台用于放置含有备用Micro-LED芯片的备用衬底;

设置在所述承载台上的X方向驱动轴;

设置在所述X方向驱动轴上的固定架,所述固定架包括竖直固定部分和水平固定部分,所述竖直固定部分的一端设置在所述X方向驱动轴上,另一端与所述水平固定部分连接,以使所述水平固定部分位于所述承载台的上方;

设置在所述水平固定部分上的Y方向驱动轴,所述X方向驱动轴的延伸方向和所述Y方向驱动轴的延伸方向垂直;

设置在所述Y方向驱动轴上的Z方向驱动轴,所述Y方向驱动轴的延伸方向和所述Z方向驱动轴的延伸方向垂直;

设置在所述Y方向驱动轴上的图像采集装置,以及设置在所述Z方向驱动轴上的芯片抓取装置;

其中,通过控制所述X方向驱动轴、所述Y方向驱动轴和所述Z方向驱动轴,以控制所述图像采集装置和所述芯片抓取装置的空间位置;

所述图像采集装置用于获取所述临时衬底上Micro-LED芯片阵列中的多芯位置或少芯位置;

所述芯片抓取装置用于将所述临时衬底上Micro-LED芯片阵列中的多芯位置处的Micro-LED芯片转移至所述备用衬底上,或将所述备用衬底上的备用Micro-LED芯片转移至所述临时衬底上Micro-LED芯片阵列中的少芯位置处。

可选的,在上述修补设备中,所述载物台具有旋转轴,用于在90°范围内旋转。

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