[发明专利]一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法

说明书

本申请提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区包括第一金属层，非显示区包括：基板层；第一栅极层，设于所述基板层一侧的表面；层间介电层，设于所述第一栅极层远离所述基板层一侧的表面；第二金属层，设于所述层间介电层远离所述基板层一侧的表面，所述第二金属层由所述非显示区延伸至所述显示区，与所述第一金属层电性连接；第二平坦层，设于所述第二金属层远离所述基板层一侧的表面。本申请将现有技术中的第一金属层和第一平坦层刻蚀掉，转而将显示区的第二金属层和第二平坦层延伸至非显示区，由此减低刻蚀步骤带来的第二金属层裸露的风险，从而提高了显示面板的稳定性。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。

背景技术

由于有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)，尤其是主动矩阵有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)，因为具备重量轻、自发光、广视角、广色域、高对比度、轻薄、驱动电压低、能耗低、响应速度快等优点，应用范围越来越广泛，成为显示技术领域研究和开发的主要领域。

随着AMOLED显示屏技术的发展，终端设备对显示屏亮度均一性的要求随之提高，但由于电阻压降效应(IR Drop)的存在，显示面板工作时，薄膜场效应晶体管会产生回路电流，从而会产生电阻压降的效应，导致电源电压上的电压降低，使得显示面板距离驱动IC(Integrated Circuit，集成电路)较近和距离驱动IC较远的两端产生亮度的不一，导致面板显示存在亮度均一性较差的问题。

目前很多AMOLED显示面板为改善电阻压降效应采用一般双层金属走线(双Source/Drain，双SD)结构，即第一金属层(SD1)和第二金属层(SD2)连接的结构，这种结构使得显示面板的非显示区形成的结构，依次包括：基板衬底111、绝缘层112、第一栅极层(Gate Metal 1，GE1)113、层间介电层(Inter-layer Dielectric，ILD)114，第一金属层(SD1)115、第一平坦层(Planarization Layer 1，PLN1)116、第二平坦层(PlanarizationLayer 2，PLN2)117和阴极118，如图1和图2所示，由于第一金属层115上覆盖有第一平坦层116，在第一平坦层116的图案化处理中的会有灰化(Ash)刻蚀的步骤，以及对之后显示区的第二金属层图案化处理中的中刻蚀(Dry Etching)的步骤，这两个刻蚀步骤会后在第一平坦层116造成过度刻蚀，可能使得第一平坦层116在第一金属层115的爬坡处出现刻蚀损失(Dry Loss)，从而造成第一金属层116裸露，导致第一金属层116与阴极117短路的问题，进而使得显示面板出现显示不良的问题。

发明内容

本申请提供一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法，以解决现有显示面板中非显示区的金属层容易裸露的问题。

一方面，本申请提供一种显示面板，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述显示区包括第一金属层，所述非显示区包括：

基板层；

第一栅极层，设于所述基板层一侧的表面；

层间介电层，设于所述第一栅极层远离所述基板层一侧的表面；

第二金属层，设于所述层间介电层远离所述基板层一侧的表面，所述第二金属层由所述非显示区延伸至所述显示区，与所述第一金属层电性连接；

第二平坦层，设于所述第二金属层远离所述基板层一侧的表面。

在本申请一种可能的实现方式中，所述非显示区还包括像素定义层，所述像素定义层设于所述第二平坦层远离所述基板层一侧的表面。

在本申请一种可能的实现方式中，所述基板层包括：