[发明专利]一种IGBT器件及智能功率模块

权利要求书

1.一种IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件包括衬底、第一IGBT元胞、第二IGBT元胞、第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一IGBT元胞和所述第二IGBT元胞依次层叠设置于所述衬底上，并由所述第一绝缘层进行隔离，所述第二绝缘层盖设于所述第二IGBT元胞背离所述衬底的一侧，所述第一绝缘层内埋设有第一栅极，所述第二绝缘层内埋设有第二栅极，所述第一栅极用于同时控制所述第一IGBT元胞和第二IGBT元胞，所述第二栅极用于至少控制所述第二IGBT元胞，所述第一栅极和所述第二栅极彼此电连接。

2.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述第一IGBT元胞包括：

第一漂移区；

第一体区，与所述第一漂移区的一侧接触；

所述第二IGBT元胞包括：

第二漂移区；

第二体区，与所述第二漂移区的一侧接触；

其中，所述第一栅极在所述衬底上的正投影分别与所述第一体区在所述衬底上的正投影和所述第二体区在所述衬底上的正投影至少部分重叠设置，所述第二栅极在所述衬底上的正投影与所述第二体区在所述衬底上的正投影至少部分重叠。

3.根据权利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，所述第一栅极具有沿所述第一IGBT元胞和所述第二IGBT元胞的层叠方向彼此背离的第一主表面和第二主表面，所述第一主表面与所述第一体区背离所述衬底的一侧表面相对设置，所述第二主表面与所述第二体区朝向所述衬底的一侧表面相对设置，所述第二栅极具有朝向所述衬底设置的第三主表面，所述第三主表面与所述第二体区背离所述衬底的一侧表面相对设置。

4.根据权利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，所述第二体区沿所述第一IGBT元胞和所述第二IGBT元胞的层叠方向划分成两个导电沟道，所述第一栅极和所述第二栅极分别对相邻的所述导电沟道进行控制。

5.根据权利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，所述第一IGBT元胞和所述第二IGBT元胞进一步共用发射极和集电极。

6.根据权利要求5所述的IGBT器件，其特征在于，所述第一IGBT元胞进一步包括第一发射区，所述第一发射区与所述第一体区接触，并通过所述第一体区与所述第一漂移区隔离，所述第二IGBT元胞进一步包括第二发射区，所述第二发射区与所述第二体区接触，并通过所述第二体区与所述第二漂移区隔离，所述发射极分别与所述第一发射区背离所述第一漂移区的一侧表面以及所述第二发射区背离所述第二漂移区的一侧表面接触。

7.根据权利要求6所述的IGBT器件，其特征在于，所述第一漂移区、所述第一发射区、所述第二漂移区和所述第二发射区具有第一掺杂类型，且所述第一发射区的掺杂浓度大于所述第一漂移区的掺杂浓度，所述第二发射区的掺杂浓度大于所述第二漂移区的掺杂浓度，所述第一体区和所述第二体区具有第二掺杂类型，所述第二掺杂类型不同于所述第一掺杂类型。

8.根据权利要求6所述的IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件进一步包括位于所述衬底和所述第一IGBT元胞之间的第三绝缘层，所述第一发射区进一步通过所述第一体区与所述第三绝缘层隔离。