[发明专利]辅助磁性记录介质以及磁性存储装置有效
| 申请号: | 202011164742.X | 申请日: | 2020-10-27 |
| 公开(公告)号: | CN112750471B | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
| 发明(设计)人: | 齐藤伸;福岛隆之 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社;田中贵金属工业株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号: | G11B7/24047 | 分类号: | G11B7/24047;G11B7/253;G11B7/254 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 韩香花;崔成哲 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 辅助 磁性 记录 介质 以及 存储 装置 | ||
本发明提供一种辅助磁性记录介质以及磁性存储装置。磁性记录介质(100)具有在基板(1)上依序设置的第1底层(3)、第2底层(4)以及磁性层(5),磁性层(5)包含具有L10型结晶结构的合金。磁性记录介质(1)还具有与磁性层(5)相接的钉扎层(6)。钉扎层(6)具有包含磁性粒子及粒界部的粒状结构。磁性粒子是包含Co的粒子。粒界部包含Y2O3及/或镧系元素的氧化物。
技术领域
本发明涉及一种辅助磁性记录介质以及磁性存储装置。
背景技术
近年来,对硬盘状装置的大容量化要求在日益提高。
然而,以当前的记录方式已难以提高硬盘装置的存储密度。
辅助磁性记录方式作为下一代记录方式是引人关注的技术之一,而在被积极研究。辅助磁性记录方式是利用磁头对磁性记录介质照射近场光或微波,使近场光或微波的照射区域的矫顽磁力(coercive force)局部降低来写入磁信息的记录方式。将照射近场光的辅助磁性记录介质称为热辅助磁性记录介质,将照射微波的辅助磁性记录介质称为微波辅助磁性记录介质。
在辅助磁性记录方式中,作为构成磁性层的磁性材料,例如使用具有L10型结晶结构的FePt合金(Ku~7×107erg/cm3)、具有L10型结晶结构的CoPt合金(Ku~ 5×107erg/cm3)等高Ku材料。
作为构成磁性层的磁性材料使用高ku材料时KuV/kT增大,而能够抑制热波动(thermal fluctuation)所致的退磁,其结果能够提高辅助磁性记录介质的信噪比 (SNR)。
在此,Ku为磁性粒子的磁各向异性常数,V为磁性粒子的体积,k为玻耳兹曼常数(Boltzmann's Constant),T为绝对温度。
专利文献1中公开了一种辅助磁性记录介质,其依序具有基板、底层、以及以具有L10型结晶结构的合金为主成分的磁性层。其中,辅助磁性记录介质具有与磁性层相接的钉扎层(pinning layer)。并且,钉扎层包含Co或以Co为主成分的合金。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2018-147548号公报
发明内容
本发明要解决的课题
然而,若要进一步提高辅助磁性记录介质的存储密度,则需要进一步提高辅助磁性记录介质的SNR。
本发明的目的在于提供一种SNR优越的辅助磁性记录介质。
解决上述课题的手段
(1)辅助磁性记录介质的特征在于基板上依序设有底层以及包含具有L10型结晶结构的合金的磁性层,还具有与所述磁性层相接的钉扎层,所述钉扎层具有包含磁性粒子及粒界部的粒状结构(granular structure),所述磁性粒子是含有Co的粒子,所述粒界部含有Y2O3及/或镧系元素的氧化物。
(2)根据(1)所述的辅助磁性记录介质,其特征在于,所述钉扎层包含的磁性粒子的居里温度为PTc[K]、所述具有L10型结晶结构的合金的居里温度为MTc时,满足关系式 PTc-MTc≥200。
(3)根据(1)或(2)所述的辅助磁性记录介质,其特征在于,所述钉扎层的厚度为1nm以上10nm以下。
(4)根据(1)~(3)中的任一项所述的辅助磁性记录介质,其特征在于,在所述基板上依序设有所述底层、所述磁性层及所述钉扎层。
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