[发明专利]一种改善鳍式晶体管Fin尺寸的方法在审
| 申请号： | 202011154128.5 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112271161A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 巴文民;胡展源;刘厥扬 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 晶体管 fin 尺寸 方法 | ||
1.一种改善鳍式晶体管Fin尺寸的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供包含有多个Fin的第一半导体结构，所述Fin的顶部上形成有第一、第二硬掩膜层；所述Fin的侧壁以及所述Fin与Fin之间的所述第一半导体结构底部均形成有第一薄型氧化层；
步骤二、将所述多个Fin中的部分Fin连同其上的第一、第二硬掩膜层和所述薄型氧化层切除形成第二半导体结构；
步骤三、在所述第二半导体结构上形成一层硅缓冲层；
步骤四、采用流体化学气相沉积法在形成有所述硅缓冲层的所述第二半导体结构上覆盖一氧化硅层；
步骤五、对所述第二半导体结构进行退火。
2.根据权利要求1所述的改善鳍式晶体管Fin尺寸的方法，其特征在于：步骤一中所述Fin顶部形成有所述第一硬掩膜层，所述第一硬掩膜层上形成有所述第二硬掩膜层。
3.根据权利要求2所述的改善鳍式晶体管Fin尺寸的方法，其特征在于：步骤一中所述第一硬掩膜层为氧化硅，所述第二硬掩膜层为氮化硅。
4.根据权利要求1所述的改善鳍式晶体管Fin尺寸的方法，其特征在于：步骤三中在所述第二半导体结构上形成所述硅缓冲层的反应温度为300～400℃。
5.根据权利要求1所述的改善鳍式晶体管Fin尺寸的方法，其特征在于：步骤三中在所述第二半导体结构上形成所述硅缓冲层的采用的反应源气体为乙硅烷。
6.根据权利要求1所述的改善鳍式晶体管Fin尺寸的方法，其特征在于：步骤三中在所述第二半导体结构上形成的所述硅缓冲层的厚度为1～3nm。
7.根据权利要求1所述的改善鳍式晶体管Fin尺寸的方法，其特征在于：在步骤四进行流体化学气相沉积法之前，在所述第二半导体结构的所述硅缓冲层上形成第二薄型氧化层。
8.根据权利要求1所述的改善鳍式晶体管Fin尺寸的方法，其特征在于：还包括步骤六、去除所述Fin顶部的第一、第二硬掩膜层。
9.根据权利要求8所述的改善鳍式晶体管Fin尺寸的方法，其特征在于：还包括步骤七、对所述氧化硅层进行回刻。
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