[发明专利]一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法

权利要求书

1.一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：

硅片预清洗；

PSG氧化层沉积及高温处理；

去除表面的PSG/USG氧化层，用碱液去损伤和制绒，并清洗；

PECVD镀膜制备表面钝化膜层和掺杂膜层；

PVD磁控溅射制备透明导电膜；

表面形成金属栅线。

2.根据权利要求1所述一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法，其特征在于：所述硅片预清洗采用槽式溶液清洁，除去表面的有机污染和大型颗粒。

3.根据权利要求1所述一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法，其特征在于：所述PSG氧化层沉积及高温处理为硅片干燥后，导入PSG高温扩散炉，载体是石英舟或SiC舟，处理温度在700-1000摄氏度之间，PSG钝化工艺需要首先形成一层PSG氧化层，PSG氧化层包括部分USG薄膜，总厚度在20埃-600埃之间，形成PSG膜层之后，施加一个高温退火和磷扩散的过程，包括升温、恒温和降温段，整体高温扩散炉的工艺时间在0.5小时-5小时之间。

4.根据权利要求1所述一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法，其特征在于：所述去除表面的PSG/USG氧化层，铸锭单晶硅片经过氢氟酸或BOE溶液处理，用碱液去损伤和制绒，形成粗糙化的陷光结构，再经历RCA清洁，最后HF溶液去表面氧化层，去离子水清洁及表面干燥去水。

5.根据权利要求1所述一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法，其特征在于：所述PECVD镀膜制备表面钝化膜层和掺杂膜层为在硅片背面依次镀背面本征型非晶硅层、N型掺杂非晶硅层，硅片正面依次镀正面本征型非晶硅层、P型掺杂非晶硅层，本征型非晶硅层的工艺气体包含硅烷、氢气、CO₂和CH₄的全部或几种组合，制备N型掺杂非晶硅层的工艺气体包含SiH₄、H₂和磷烷，制备P型掺杂非晶硅层的工艺气体包含SiH₄、H₂、CO₂、CH₄、乙硼烷、TMB的全部或几种组合。

6.根据权利要求5所述一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法，其特征在于：所述P型掺杂非晶硅层为含氧型微晶μc-SiOx:H或者非晶态的碳化硅a-SiC，含氧型微晶μc-SiOx:H的成膜速度控制在0.2-1.5埃/秒，含氧型微晶μc-SiOx:H在制绒面上的厚度为40-200埃。

7.根据权利要求1所述一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法，其特征在于：所述PVD磁控溅射制备透明导电膜，透明导电膜包含氧化锡、氧化钛、氧化锌或氧化镓掺杂的氧化铟薄膜，其中氧化铟是主体材料，按重量比占比90％以上，掺杂材料至少含有氧化锡、氧化钛、氧化锌或氧化镓的一种，按重量占比0-10％。

8.根据权利要求1所述一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法，其特征在于：所述表面形成金属栅线采用丝网印刷的方式，转移金属栅线图形到电池片表面，与异质结工艺配合的金属浆料是低温银浆，退火温度在170-220摄氏度之间，所形成的电池片表面形成一系列平行金属细栅线，宽度在20-70微米，高度在3-40微米。