[发明专利]光栅耦合器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011143700.8 | 申请日： | 2020-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN112230339A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 肖志雄;冯俊波;胡志朋;邵斯竹;吴月;朱兴国;郭进 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/138;G02B6/124 |
| 代理公司： | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人： | 赵新民 |
| 地址： | 401332 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光栅 耦合器 及其 制备 方法 | ||
1.一种光栅耦合器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供SOI衬底，所述SOI衬底自下而上包括硅衬底层、二氧化硅中间层以及硅顶层；
刻蚀所述硅顶层形成第一耦合光栅，所述第一耦合光栅包括多个第一脊和多个第一槽，两个第一脊之间通过一个第一槽间隔开；
在所述硅顶层上形成Poly-Si层；
刻蚀所述Poly-Si层形成第二耦合光栅，所述第二耦合光栅包括多个第二脊和多个第二槽，两个第二脊之间通过一个第二槽间隔开；
所述第一脊与所述第二脊一一对应，所述第二耦合光栅与所述第一耦合光栅错位堆叠使所述第一脊的边缘与所述第二脊的边缘形成预定距离的偏移。
2.根据权利要求1所述的光栅耦合器的制备方法，其特征在于，所述第一耦合光栅与所述第二耦合光栅的光栅周期相同。
3.根据权利要求1所述的光栅耦合器的制备方法，其特征在于，在形成所述第一耦合光栅之后，且形成所述Poly-Si层之前，还包括如下步骤：
形成第一覆层，所述第一覆层填充所述第一耦合光栅并与所述硅顶层的顶表面齐平。
4.根据权利要求3所述的光栅耦合器的制备方法，其特征在于，在形成所述第二耦合光栅之后还包括如下步骤：
在所述Poly-Si层上形成第二覆层，所述第二覆层填充所述第二耦合光栅并与所述Poly-Si层的顶表面齐平。
5.根据权利要求3所述的光栅耦合器的制备方法，其特征在于，所述第一覆层的材质为二氧化硅或者氮化硅。
6.根据权利要求4所述的光栅耦合器的制备方法，其特征在于，所述第二覆层的材质为二氧化硅或者氮化硅。
7.根据权利要求1所述的光栅耦合器的制备方法，其特征在于，所述第一耦合光栅的刻蚀深度小于所述硅顶层的厚度，所述第二耦合光栅的刻蚀深度等于所述Poly-Si层的厚度。
8.一种光栅耦合器，其特征在于，包含：
SOI衬底，所述SOI衬底自下而上包括硅衬底层、二氧化硅中间层以及硅顶层；
第一耦合光栅，形成于所述硅顶层上，所述第一耦合光栅包括多个第一脊和多个第一槽，两个第一脊之间通过一个第一槽间隔开；
Poly-Si层，覆盖在所述硅顶层上；
第二耦合光栅，形成于所述Poly-Si层上，所述第二耦合光栅包括多个第二脊和多个第二槽，两个第二脊之间通过一个第二槽间隔开；
所述第一脊与所述第二脊一一对应，所述第二耦合光栅与所述第一耦合光栅错位堆叠使所述第一脊的边缘与所述第二脊的边缘形成预定距离的偏移。
9.根据权利要求8所述的光栅耦合器，其特征在于，所述第一耦合光栅与所述第二耦合光栅的光栅周期相同。
10.根据权利要求8所述的光栅耦合器，其特征在于，还包括：
第一覆层，所述第一覆层填充所述第一耦合光栅并与所述硅顶层的顶表面齐平。
11.根据权利要求9所述的光栅耦合器，其特征在于，还包括：
第二覆层，所述第二覆层填充所述第二耦合光栅并与所述Poly-Si层的顶表面齐平。
12.根据权利要求8所述的光栅耦合器，其特征在于，
所述第一耦合光栅的刻蚀深度小于所述硅顶层的厚度，所述第二耦合光栅的刻蚀深度等于所述Poly-Si层的厚度。
13.根据权利要求10所述的光栅耦合器，其特征在于，所述第一覆层的材质为二氧化硅或者氮化硅。
14.根据权利要求11所述的光栅耦合器，其特征在于，所述第二覆层的材质为二氧化硅或者氮化硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联合微电子中心有限责任公司，未经联合微电子中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011143700.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
