[发明专利]一种薄壁异型C/SiC面板的制备方法

权利要求书

1.一种薄壁异型C/SiC面板的制备方法，其特征在于，所述方法在制备过程中，通过在薄壁面板的周边预留防变形圈来控制C/SiC面板的形变。

2.根据权利要求1所述的一种薄壁异型C/SiC面板的制备方法，其特征在于，所述防变形圈为：在制备薄壁异型C/SiC面板预制体时，在预制体面板原有尺寸的周边预留一圈边缘，所述边缘的厚度大于预制体的厚度。

3.根据权利要求2所述的一种薄壁异型C/SiC面板的制备方法，其特征在于，所述方法的实现过程包括：采用CVI或PIP法，对所述预制体进行两次致密化处理。

4.根据权利要求3所述的一种薄壁异型C/SiC面板的制备方法，其特征在于，所述方法的实现过程还包括加工过程，按照面板尺寸对预制体进行加工，并在面板的四周保留防变形圈。

5.根据权利要求2-4任一所述的一种薄壁异型C/SiC面板的制备方法，其特征在于，所述预制体为二维针刺碳纤维预制体，密度为0.40～0.60g/cm³。

6.根据权利要求4所述的一种薄壁异型C/SiC面板的制备方法，其特征在于，所述方法的实现过程还包括再次加工过程：将经过第二次致密化处理的坯体的防变形圈去除。

7.根据权利要求6所述的一种薄壁异型C/SiC面板的制备方法，其特征在于，所述方法的实现过程还包括制备涂层：在去除防变形圈的坯体表面制备一层SiC涂层。

8.根据权利要求7所述的一种薄壁异型C/SiC面板的制备方法，其特征在于，方法的实现步骤包括内容如下：

1)制备预制体：采用二维针刺碳纤维预制体，周边预留防变形圈；

2)初步致密化：通过CVI或PIP法，对预制体进行致密化处理；

3)初次加工：按照面板尺寸将初步致密化处理后的坯体进行，面板四周保留防变形圈，以防止后续致密化处理时面板变形；

4)再次致密化：通过CVI或PIP法，对初次加工后的坯体再次进行致密化处理；

5)再次加工：将坯体四周的防变形圈去除；

6)涂层制备：采用CVD工艺在坯体表面制备一层SiC涂层，用于加工断面的封孔。

9.根据权利要求8所述的一种薄壁异型C/SiC面板的制备方法，其特征在于，所述防变形圈的厚度为面板厚度单侧加3～5mm，宽度为10～20mm。

10.根据权利要求8所述的一种薄壁异型C/SiC面板的制备方法，其特征在于，所述初步致密化得到的坯体的密度为1.20～1.40g/cm³；

所述再次致密化得到的坯体的密度为1.70～1.80g/cm³。