[发明专利]消除晶圆翘曲的晶圆键合设备及键合方法在审
| 申请号: | 202011138916.5 | 申请日: | 2020-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN114388392A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
| 发明(设计)人: | 霍进迁;龚燕飞 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/18 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
| 地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 消除 晶圆翘曲 晶圆键合 设备 方法 | ||
1.一种消除晶圆翘曲的晶圆键合设备,其特征在于,所述晶圆键合设备包括:
光敏测距器件,设置于第一晶圆及第二晶圆上方,用于通过光学信号的接收和反馈,确定第一晶圆与所述光敏测距器件的距离分布,以及确定第二晶圆与所述光敏测距器件的距离分布,从而获取所述第一晶圆的第一翘曲分布值及第二晶圆第二翘曲分布值,所述第二晶圆位于所述第一晶圆上方;
吸附装置,设置于第二晶圆下方,所述吸附装置包括多个吸附单元,所述吸附装置根据第二晶圆需要补偿的吸附值,自所述第二晶圆底部向所述第二晶圆给予吸附力,以定量补偿第二晶圆的形变量,使所述第一晶圆与所述第二晶圆的键合面保持相对平行。
2.根据权利要求1所述的消除晶圆翘曲的晶圆键合设备,其特征在于:
所述光敏测距器件还用于依据第一翘曲分布值及第二晶圆第二翘曲分布值,获取第二晶圆各个区域所需要改变的形变量;
所述吸附装置基于所述需要改变的形变量,控制相应区域的吸附力,以定量补偿第二晶圆的形变量,使所述第一晶圆与所述第二晶圆的键合面保持相对平行。
3.根据权利要求2所述的消除晶圆翘曲的晶圆键合设备,其特征在于:所述吸附力由以下公式获取:
F=k△x+B;
其中,F为吸附力,k为第二晶圆的弹性常数,B为固定常数。
4.根据权利要求1所述的消除晶圆翘曲的晶圆键合设备,其特征在于:所述吸附装置包括真空吸盘,所述真空吸盘表面具有多个吸附孔,通过设置所述真空吸盘的真空度以及吸附孔的孔径以调整所述吸附孔的吸附力,其中,所述吸附力的大小与所述真空度呈正相关,与所述吸附孔的孔径呈负相关。
5.根据权利要求1所述的消除晶圆翘曲的晶圆键合设备,其特征在于:所述真空吸盘包括多个真空腔体,各真空腔体对应设置有一个或多个吸附孔,且各真空腔体内的真空度独立可调,以控制相应区域的吸附力。
6.根据权利要求4或5所述的消除晶圆翘曲的晶圆键合设备,其特征在于:所述吸附孔的形状包括圆孔、弧形孔及环形孔中的一种。
7.根据权利要求1所述的消除晶圆翘曲的晶圆键合设备,其特征在于:所述晶圆键合设备还包括顶针部件,设置于所述第一晶圆上方,用于对所述第一晶圆及第二晶圆施加点压力,以使所述第一晶圆及第二晶圆预键合。
8.一种消除晶圆翘曲的晶圆键合方法,其特征在于,所述晶圆键合方法包括:
提供如权利要求1~7任意一项所述的消除晶圆翘曲的晶圆键合设备;
将第一晶圆放置于所述晶圆键合设备内,基于光敏测距器件,通过光学信号的接收和反馈,确定第一晶圆与所述光敏测距器件的距离分布,从而获取所述第一晶圆的第一翘曲分布值;
将第二晶圆放置于所述晶圆键合设备内的第一晶圆上方,基于光敏测距器件,通过光学信号的接收和反馈,确定第二晶圆与所述光敏测距器件的距离分布,从而获取第二晶圆第二翘曲分布值;
依据第一翘曲分布值及第二晶圆第二翘曲分布值,获取第二晶圆各个区域所需要改变的形变量;
吸附装置根据第二晶圆需要补偿的吸附值,自所述第二晶圆底部向所述第二晶圆给予吸附力,以定量补偿第二晶圆的形变量,使所述第一晶圆与所述第二晶圆的键合面保持相对平行。
9.根据权利要求8所述的消除晶圆翘曲的晶圆键合方法,其特征在于:所述吸附装置包括真空吸盘,所述真空吸盘包括多个真空腔体,各真空腔体包含一个或多个吸附孔,且各真空腔体内的真空度独立可调,通过设置所述真空腔体的真空度以及吸附孔的孔径以调整所述吸附孔的吸附力。
10.根据权利要求8所述的消除晶圆翘曲的晶圆键合方法,其特征在于:还包括步骤:采用顶针部件对所述第一晶圆及第二晶圆施加点压力,以使所述第一晶圆及第二晶圆预键合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新微技术研发中心有限公司,未经上海新微技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011138916.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





