[发明专利]压电元件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202011130124.3 申请日: 2020-10-21
公开(公告)号: CN112787619A 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 岛尾宪治;渡邉彻也;利川兴司;岩田浩一 申请(专利权)人: 日本电波工业株式会社
主分类号: H03H9/15 分类号: H03H9/15;H03H3/02
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨贝贝;臧建明
地址: 日本东京涉谷区笹塚1-4*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 压电 元件 及其 制造 方法
【说明书】:

本发明提出一种改善了晶体阻抗的压电元件及其制造方法,压电元件包括AT切割晶体片。AT切割晶体片的平面形状为四边形形状。与晶体的Z'轴交叉的侧面,具有:规定的第一面、第二面、第三面。晶体片依次包括:将晶体的X轴作为旋转轴,使主面旋转了4°±3.5°的第一面;将晶体的X轴作为旋转轴,使主面旋转了‑57°±5°的第二面;以及将晶体的X轴作为旋转轴,使主面旋转了‑42°±5°的第三面。晶体片在与Z'轴平行的两边中的第一边侧,通过导电性粘接剂来连接固定在容器。晶体片的与所述第一边相向的第二边侧的两个角部,在俯视时,分别成为85度~90度之间的角度。晶体片的前端的直线状的部分的尺寸W1与晶体片的宽度尺寸W0的比W1/W0为0.96以上。

技术领域

本发明涉及一种晶体振子、包含晶体振子的晶体振荡器、并用热敏电阻器或PN二极管等温度传感器的晶体振子等的压电元件,以及压电元件的制造方法。

背景技术

为了实现作为压电元件的一种的晶体振子的进一步的小型化,而使用光刻技术及湿式蚀刻技术。

在与本申请的申请人相关的例如专利文献1中,记载有使用所述技术的压电元件。具体而言,如专利文献1的图1所示,公开了一种具有AT切割晶体片的压电元件。所述AT切割晶体片是:利用第一面~第三面这三个面来构成与晶体的结晶轴的Z'轴交叉的侧面的至少一个的AT切割晶体片,其中,第一面是将晶体的X轴作为旋转轴,使所述晶体片的由晶体的结晶轴表示的X-Z'面(主面)旋转了4°±3.5°的面,第二面是相当于将晶体的X轴作为旋转轴,使所述主面旋转了-57°±5°的面的面,第三面是相当于将晶体的X轴作为旋转轴,使所述主面旋转了-42°±5°的面的面。

根据所述压电元件,与以往相比,可抑制AT切割晶体振子原本的振动以外的不必要的振动,因此,与以往相比,可改善振子的阻抗即晶体阻抗(以下,也称为CI(CrystalImpedance))。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2016-197778号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

专利文献1中所公开的压电元件是可实现CI的改善的压电元件,但在本申请的发明人的研究中,已判明可实现CI的进一步的改善。即,专利文献1中所公开的压电元件是包括具有规定的第一面~第三面的晶体片的压电元件,但为了获得规定的第一面~第三面,而采用对晶体晶片长时间进行蚀刻的处理。因此,当对所述晶体片的前端侧,即晶体片的与由导电性粘接剂支撑之侧的相反侧进行平面观察时,从所述前端的中央朝向两个角部的区域被蚀刻成大致三角形形状,晶体片的面积相应地减少(参照后述的比较例或图6、图7B)。在AT切割晶体片的情况下,若考虑晶体片的平面的面积大,更容易使CI良好,则专利文献1中所公开的压电元件存在改善的余地。

本申请是鉴于此种观点而形成的申请,因此,本申请的目的在于提供一种可减少所述问题点的压电元件及其制造方法。

[解决问题的技术手段]

为了实现所述目的的达成,根据本申请的压电元件的发明,提出一种压电元件,包括:容器;以及AT切割晶体片,其中,所述AT切割晶体片将由晶体的结晶轴表示的X-Z'面作为主面,所述AT切割晶体片的平面形状为四边形形状,所述AT切割晶体片的利用第一面~第三面这三个面来构成与所述晶体的结晶轴的Z'轴交叉的侧面的至少一个,所述第一面~第三面以此顺序相交。所述第一面是相当于将晶体的X轴作为旋转轴,使所述主面旋转了4°±3.5°的面的面,所述第二面是相当于将晶体的X轴作为旋转轴,使所述主面旋转了-57°±5°的面的面,所述第三面是相当于将晶体的X轴作为旋转轴,使所述主面旋转了-42°±5°的面的面。所述AT切割晶体片在与所述Z'轴平行的两边中的第一边之侧,通过导电性粘接剂来连接固定在所述容器,所述压电元件中,所述AT切割晶体片的与所述第一边相向的第二边之侧的两个角部,在俯视时,分别成为大致直角。

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