[发明专利]成像器件和移动设备在审
| 申请号: | 202011117957.6 | 申请日: | 2015-12-08 |
| 公开(公告)号: | CN113363268A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
| 发明(设计)人: | 横川创造;广田功 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369;G02B7/34;G02B7/38 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 卫李贤;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 成像 器件 移动 设备 | ||
本发明涉及成像器件和移动设备。其中,所述成像器件可包括:半导体基板,包括第一至第五光电转换区,第一至第三光电转换区沿第一方向布置,第一和第三光电转换区布置为分别邻近第二光电转换区,第四光、第二和第五光电转换区沿与第一方向垂直的第二方向布置,第四光电转换区邻近第二光电转换区,第二光电转换区邻近第五光电转换区;第一片上透镜,在第一光电转换区上方;第二片上透镜,在第二和第三光电转换区上方;第三片上透镜,在第四光电转换区上方;第四片上透镜,在第五光电转换区上方;以及第一彩色滤光片,在第一至第五光电转换区上方,并且在第一至第四片上透镜下方,其中,第一、第三和第四片上透镜与第二片上透镜的尺寸不同。
本申请是申请日为2015年12月8日、发明名称为“固体摄像器件和电子装置”的申请号为201580067441.6的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及固体摄像器件和电子装置,并且更具体地,涉及适合在布置有用于实现像面相位差(image-surface phase difference)自动聚焦(AF:Auto Focus)功能的相位差检测像素的情况下使用的固体摄像器件和电子装置。
背景技术
常规地,作为在具有摄影功能的以数码照相机为代表的电子装置中采用的AF功能方式,像面相位差AF是已知的(例如,参见专利文献1)。在能够实现像面相位差AF的固体摄像器件中,用于获得构成图像用的像素信号(彩色信号)的正常像素以及用于对入射光进行光瞳分割(pupil split)的相位差检测像素被布置在预定位置处。
在常规的相位差检测像素中,在片上透镜(on-chip lens)与光电转换层之间形成有金属遮光膜。该金属遮光膜具有相对于所述片上透镜的光轴(光学中心)发生偏移的开口。此外,在以彼此邻接的方式布置着的成对的相位差检测像素之间设置有遮光结构。该遮光结构用于减少光学混色。
基于所述具有不同开口位置的相位差检测像素对(例如,在左侧被开口的相位差检测像素和在右侧被开口的相位差检测像素)的输出来计算相位差信号。所计算出来的相位差信号被用来控制聚焦。
引用文献列表
专利文献
专利文献1:日本专利申请特开第2007-304188号
发明内容
要解决的技术问题
在上述的常规的相位差检测像素中,金属遮光膜限制了所述开口。因此,与正常像素相比,对入射光的灵敏度的下降是不可避免的。因此,在实用中就可能发生不利的影响。例如,在暗处进行摄影的情况下,像面相位差AF是不能被利用的。
此外,未来伴随着固体摄像器件中的像素数量的增加,像素将变得微型化。在这种情况下,不仅入射光的在金属遮光膜上的反射而且诸如衍射等与电磁波相关的行为的影响都会变得显著。例如,可能会发生相位差检测的精度的下降和由于反射/衍射成分混入邻接像素中而造成的图像质量特性的劣化。
而且,在包括金属遮光膜的相位差检测像素的情况下,会给出对入射角变化的灵敏度响应的角度范围很窄。因此,这样的相位差检测像素难以与下列部件一起使用:具有小F值(f-number)的镜头、或者主光线角度(CRA:Chief Ray Angle)能够大幅度地变化的光学变焦镜头等。
本发明是鉴于上述状况而做出的,且本发明的目的是提出一种能够避免诸如对入射光的灵敏度下降和相位差检测精度下降等缺陷的相位差检测像素。
解决技术问题的技术方案
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- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





