[发明专利]一种可规模化生产的高稳定无机空穴传输薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 202011103189.9 申请日: 2020-10-15
公开(公告)号: CN112310287A 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 芮一川;王晓洁;石江珊;金作明 申请(专利权)人: 上海工程技术大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/42;B05D1/02;B05D7/24;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 蒋亮珠
地址: 201620 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 规模化 生产 稳定 无机 空穴 传输 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种可规模化生产的高稳定无机空穴传输薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将二价铜源、三价铁源和三价铬源溶于去离子水中,搅拌均匀后加入碱源,搅拌15~30min,然后将混合溶液移入反应釜进行水热反应;

(2)向步骤(1)所得产物中加入稀盐酸调节溶液pH至6.5~7.5,随后依次用去离子水和乙醇离心清洗产物,将清洗后的产物分散在醇类有机溶剂中,制得Fe-CuCrO2胶体溶液;

(3)将步骤(2)所得的胶体溶液转移到喷枪中,喷涂在预热的导电基底表面,控制喷涂时间获得不同层厚的薄膜,加热退火,得到高稳定无机空穴传输薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种可规模化生产的高稳定无机空穴传输薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的铜源包括三水合硝酸铜、硝酸铜或氯化铜;铁源包括九水合硝酸铁、硝酸铁或氯化铁;铬源包括九水合硝酸铬、硝酸铬或氯化铬。

3.根据权利要求1所述的一种可规模化生产的高稳定无机空穴传输薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的铜源、铁源和铬源的摩尔比为1:0.03~0.06:1。

4.根据权利要求1所述的一种可规模化生产的高稳定无机空穴传输薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的碱源为氢氧化钠、氢氧化钾中的一种或两种。

5.根据权利要求1所述的一种可规模化生产的高稳定无机空穴传输薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的水热反应温度为230℃~240℃,反应时间为50~60h,反应釜中的填充率为50~80%。

6.根据权利要求1所述的一种可规模化生产的高稳定无机空穴传输薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述的醇类有机溶剂包括乙醇、甲醇、异丙醇或正丁醇。

7.根据权利要求1所述的一种可规模化生产的高稳定无机空穴传输薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述的胶体溶液浓度为5~15mg ml-1

8.根据权利要求1所述的一种可规模化生产的高稳定无机空穴传输薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述的导电基底包括FTO、ITO或ATO。

9.根据权利要求1所述的一种可规模化生产的高稳定无机空穴传输薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述的导电基底预热温度为100~130℃,喷涂时间控制为20~40s。

10.根据权利要求1所述的一种可规模化生产的高稳定无机空穴传输薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述的退火温度为200~230℃,退火时间为20~30min。

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