[发明专利]一种LCP基材的离子束金属化方法及其制品

权利要求书

1.一种LCP基材的离子束金属化方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)清洗LCP基材表面；

(2)在基材表面进行高能金属离子处理，形成金属-非金属混合层；

(3)在混合层表面沉积金属离子，得到金属层，即可获得LCP基材金属板。

2.根据权利要求1所述的金属化方法，其特征在于，所述高能金属离子处理通过高能离子束系统实现，所述沉积金属离子通过低能离子束系统实现，所述高能离子束系统和低能离子束系统中引出粒子均为金属正离子。

3.根据权利要求1或2所述的金属化方法，其特征在于，所述步骤(2)和所述步骤(3)中真空度为1*10^-3-5*10^-3Pa。

4.根据权利要求3所述的金属化方法，其特征在于，所述步骤(2)和所述步骤(3)中，通过电子枪电离LCP基材表面释放出的气体。

5.根据权利要求1或4所述的金属化方法，其特征在于，所述步骤(2)实施电压为4-12kV，高能离子束能量8-20keV，处理剂量为1*10¹⁶-1*10¹⁷ions/cm²,束流强度为0.1-2mA，所述混合层的厚度为5-100nm。

6.根据权利要求1或4所述的金属化方法，其特征在于，所述步骤(3)沉积电压为15-100V，沉积电流为40-120A，束流强度为0.5-1.5A，所述金属层的厚度为2-3μm。

7.根据权利要求6所述的金属化方法，其特征在于，所述步骤(3)低能离子束的金属为Ti、Ni、Ag、Cu中的一种或多种合金。

8.根据权利要求1-7任一项所述的金属化方法，其特征在于，所述步骤(1)中表面预处理时，还包括考夫曼离子源处理，通过考夫曼离子源对LCP基材表面处理，使LCP基材表面形成交联层。

9.根据权利要求8所述的金属化方法，其特征在于，所述考夫曼离子源处理的电压为0.1-1.5kV,功率0.1-2kW，活化气体为氧气、氩气、氢气、甲烷中任意一种或任意两种混合，处理时间为5s-300s，处理后表面粗糙度不小于0.1μm，亲水角不大于60度。

10.根据权利要求9所述的金属化方法，其特征在于，所述步骤(3)中包括两次沉积，第一次沉积形成第一金属层，第二次沉积形成第二金属层。

11.根据权利要求10所述的金属化方法，其特征在于，两次沉积之间包括一次考夫曼离子源处理。

12.根据权利要求11所述的金属化方法，其特征在于，所述考夫曼离子源处理的交联电压为150-300V，活化气体为氧气、氩气、氢气、甲烷中任意一种，处理时间为40-300s。

13.根据权利要求10所述的金属化方法，其特征在于，所述第一金属层的金属为Ti、Ni、Ag、Cu中的一种，所述第二金属层的金属为Cu。

14.根据权利要求1-9任一项所述的离子束金属化方法制备的金属化的LCP板，其特征在于，所述金属层的厚度为2-3μm，所述金属层与所述LCP基材的剥离强度大于或等于0.8N/mm。

15.根据权利要求10-13任一项所述的离子束金属化方法制备的金属化的LCP板，其特征在于，所述金属层的厚度为2-3μm，所述金属层与所述LCP基材的剥离强度大于或等于1N/mm。

16.根据权利要求1-13任一项所述的离子束金属化方法制备的金属化的LCP板的用途。

17.一种金属化的LCP板，其特征在于，根据权利要求1-13中任一项方法制备而成。