[发明专利]三相同轴超导电缆本体线芯及其制备方法在审
| 申请号: | 202011102284.7 | 申请日: | 2020-10-15 |
| 公开(公告)号: | CN112331406A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
| 发明(设计)人: | 庞玉春;刘治琦;徐红春;高鹏 | 申请(专利权)人: | 宝胜科技创新股份有限公司 |
| 主分类号: | H01B12/02 | 分类号: | H01B12/02 |
| 代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 马晓敏 |
| 地址: | 225800 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 三相 同轴 超导 电缆 本体 及其 制备 方法 | ||
1.三相同轴超导电缆本体线芯,其特征在于,从内到外依次包括:支撑体层(1)、第一相导体层(2)、第一绝缘层(3)、第二相导体层(4)、第二绝缘层(5)、第三相导体层(6)、第三绝缘层(7)、屏蔽层(8)和保护层(9);
所述第一相导体层(2)、第二相导体层(4)和第三相导体层(6)均从内到外依次包括:内铜缓冲层(10)、超导层(11)和外铜缓冲层(12),且所述第一相导体层(2)、第二相导体层(4)和第三相导体层(6)三者同轴设置。
2.根据权利要求1所述的三相同轴超导电缆本体线芯,其特征在于,所述支撑体层(1)的外侧面与所述第一相导体层(2)的内铜缓冲层(10)内侧面之间设置一层半导体层,所述所述第一相导体层(2)的外铜缓冲层(12)外侧面与所述第一绝缘层(3)内侧面之间设置一层半导体层,所述第一绝缘层(3)外侧面与所述第二相导体层(4)的内铜缓冲层(10)内侧面之间设置有一层半导体层,所述第二相导体层(4)的外铜缓冲层(12)外侧面与所述第二绝缘层(5)内侧面之间设置有一层半导体层,所述第二绝缘层(5)外侧面与所述第三相导体层(6)的内铜缓冲层(10)内侧面之间设置有一层半导体层,所述第三相导体层(6)的外铜缓冲层(12)外侧面与所述第三绝缘层(7)内侧面之间设置有一层半导体层,所述第三绝缘层(7)外侧面与所述屏蔽层(8)内侧面之间设置有一层半导体层。
3.根据权利要求1所述的三相同轴超导电缆本体线芯,其特征在于,所述支撑体层(1)为螺纹状的铜波纹管,所述铜波纹管壁厚为0.5mm,螺距为9mm,螺深为3mm。
4.根据权利要求1所述的三相同轴超导电缆本体线芯,其特征在于,所述内铜缓冲层(10)和外铜缓冲层(12)的材料为铜带,所述铜带宽度为25-40mm。
5.根据权利要求1所述的三相同轴超导电缆本体线芯,其特征在于,所述超导层(11)的材质为YBCO高温超导带材,所述YBCO高温超导带材的宽度为5mm,厚度为0.38mm,超导带材采用同向绕制方向。
6.根据权利要求1所述的三相同轴超导电缆本体线芯,其特征在于,所述第一绝缘层(3)、第二绝缘层(5)和第三绝缘层(7)的绝缘材料为聚丙烯层压纸,所述聚丙烯层压纸的厚度为119μm,宽度为25mm;所述半导体层的材料为碳纸或半导电纤维材料。
7.根据权利要求1所述的三相同轴超导电缆本体线芯,其特征在于,所述支撑体层(1)的端头位置设置有均压环(13),所述均压环(13)与所述支撑体层(1)焊接连接。
8.根据权利要求1所述的三相同轴超导电缆本体线芯,其特征在于,所述屏蔽层的厚度为0.5mm,所述屏蔽层的材料为铜带,所述铜带的宽度为5mm。
9.根据权利要求1所述的三相同轴超导电缆本体线芯,其特征在于,所述保护层(9)的材料为聚酯薄膜,厚度为0.2mm。
10.权利要求1~9任一项所述的三相同轴超导电缆本体线芯的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1:在所述支撑体层(1)的端头部位加装均压环(13),然后在支撑体层(1)外表面均匀绕包一层半导体层,搭盖率为0-5%;
步骤S2:通过仿真工具获得在不同短路下的热数据,并将数据导入模拟软件中进行仿真分析,得到所述内铜缓冲层(10)和外铜缓冲层(12)的厚度,然后在步骤S1所述的半导体层外依次连续绕制内铜缓冲层(10)、超导层(11)和外铜缓冲层(12),得到第一相导体层(2);
步骤S3:在步骤S1得到的所述第一相导体层(2)的外铜缓冲层(12)外侧面绕制一层半导体层,搭盖率为0-5%,然后在半导体层外绕制第一绝缘层(3),所述第一绝缘层(3)采用多头同心式绕包进行,然后在所述第一绝缘层(3)外侧面再绕制一层半导体层搭盖率为0-5%,最后再依次绕制内铜缓冲层(10)、超导层(11)和外铜缓冲层(12),得到第二相导体层(4);
步骤S4:重复步骤S3,得到第三相导体层(6);
步骤S5:根据三相不平衡性及故障时屏蔽层(8)的电流分量,设计所述屏蔽层(8)的厚度,在所述第三绝缘层(7)外侧面半导体层的外侧面依次绕制所述屏蔽层(8)和所述保护层(9)。
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