[发明专利]一种反熔丝一次性可编程存储单元

权利要求书

1.一种反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，包括：

一种衬底；

在所述衬底上形成的选择晶体管：

形成于所述衬底上的第一栅极介电层；

形成于所述栅极介电层上的第一栅极；

第一高压结，形成在所述衬底中；

以及第二高压结，形成在所述衬底中，

其中，所述选择晶体管的源极和漏极由所述第一高压结和所述第二高压结形成；以及

反熔丝电容器，所述反熔丝电容器形成在所述衬底上，：

形成于所述衬底上的第二栅极介电层，形成于所述栅极介电层上的第二栅极；

形成于所述衬底中的第三高电压结；以及形成于所述衬底中的第四高电压结，

其中所述反熔丝电容器的源极和漏极分别由所述第三高电压结和所述第四高电压结形成。

2.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述反熔丝电容器的所述第三高电压结和所述第四高电压结由所述衬底中的沟道隔开。

3.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述反熔丝电容器的所述第三高电压结和所述第四高电压结电连接。

4.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第一高压结或所述第二高压结或所述第三高压结或所述第四高压结具有高于3.3伏的阈值结击穿电压。

5.根据权利要求4所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第一高压结或所述第二高压结或所述第三高压结或所述第四高压结具有高于5伏的阈值结击穿电压。

6.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第二高压结和所述第三高压结电连接。

7.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第一高电压结包括在比远离第一栅极介电层的第二掺杂区更低的掺杂水平下与第一栅极介电层相邻的第一掺杂区。

8.如权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，所述第二高压结包括与所述第二栅极介电层相邻的第一掺杂区，所述第一掺杂区在比远离所述第二栅极介电层的第二掺杂区低的掺杂水平下邻近所述第二栅极介电层。

9.如权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，所述第三高电压结包括与所述第一栅极介电层相邻的第一掺杂区，所述第一掺杂区在比远离所述第一栅极介电层的第二掺杂区低的掺杂水平下邻近所述第一栅极介电层。

10.根据权利要求1所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述第四高电压结包括在比远离所述第二栅极介电层的第二掺杂区低的掺杂水平下与所述第二栅极介电层相邻的第一掺杂区。

11.一种反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，包括：

衬底；

在所述衬底上形成的选择晶体管，：

形成于所述衬底上的第一栅极介电层；形成于所述栅极介电层上的第一栅极；

第一低压结，形成在所述衬底中；以及第二低压结，形成在所述衬底中，

其中所述选择晶体管的源极和漏极由所述第一低电压结和所述第二低电压结形成；以及反熔丝电容器，所述反熔丝电容器形成在所述衬底上，：

形成于所述衬底上的第二栅极介电层；形成于所述栅极介电层上的第二栅极；

第一高压结，形成在所述衬底中；以及第二高压结，形成在所述衬底中，

其中所述反熔丝电容器的源极和漏极分别由所述第一高压结和所述第二高压结形成。

12.根据权利要求11所述的反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，其中所述反熔丝电容器的所述第一高压结和所述第二高压结由所述衬底中的沟道隔开。