[发明专利]一种移位饱和同步处理的方法及其应用有效

专利信息
申请号: 202011084127.8 申请日: 2020-10-12
公开(公告)号: CN112181354B 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 黄鹏;丁晓兵;朱少华;冯潮斌 申请(专利权)人: 上海芯旺微电子技术有限公司
主分类号: G06F5/01 分类号: G06F5/01;G06F9/30
代理公司: 上海唯智赢专利代理事务所(普通合伙) 31293 代理人: 刘朵朵
地址: 200120 上海市浦东新区龙东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 移位 饱和 同步 处理 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种移位饱和同步处理的方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)移位MASK的产生:

移位后溢出位的选择信号产生,将移位溢出对应的位标记为1,其他位置标记为0;

(2)数据选择:

使用所述选择信号选择待移位的数据,如选择信号中某一位的MASK为1,则选取待移位的数据中的对应结果,反之则输出待移位数据的最高位;

(3)饱和检测:

检测步骤(2)所得所有结果和待移位的数据的最高位,如待移位的数据的最高位为0时步骤(2)所得所有结果全为0,或者待移位的数据的最高位为1时步骤(2)所得所有结果全为1,则移位无溢出,反之则移位溢出。

2.根据权利要求1所述的一种移位饱和同步处理的方法,其特征在于,所述待移位数据通过MASK筛选出溢出相关位,并将其他位使用最高位填充。

3.根据权利要求1所述的一种移位饱和同步处理的方法,其特征在于,步骤(3)中,检测待移位的数据的最高位为0时步骤(2)所得所有结果全为0,如果是说明无溢出,正饱和标志位为0,反之,则需要饱和处理,正饱和标志位置1。

4.根据权利要求1所述的一种移位饱和同步处理的方法,其特征在于,步骤(3)中,检测待移位的数据的最高位为1时步骤(2)所得所有结果全为1,如果是说明无溢出,负饱和标志位为0,反之,则需要饱和处理,负饱和标志位置1。

5.应用如权利要求1~4任一项所述的移位饱和同步处理的方法的集成电路,其特征在于,包括一个或多个处理器、一个或多个存储器、一个或多个程序及数据输入装置;

所述数据输入装置用于输入待移位数据及其所需移动的位数,所述一个或多个程序被存储在所述存储器中,当所述一个或多个程序被所述处理器执行时,使得所述集成电路执行如权利要求1~4任一项所述的移位饱和同步处理的方法。

6.应用如权利要求5所述的集成电路的电子设备。

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