[发明专利]一种温度不敏感硅基阵列波导光栅结构波分复用器

权利要求书

1.一种温度不敏感硅基阵列波导光栅结构波分复用器，其特征在于：该波分复用器包括一阵列硅波导区(3)，所述阵列硅波导区(3)两端分别耦合连接有第一自由传输区(2)和第二自由传输区(4)，所述第一自由传输区(2)的输入端耦合连接有一输入硅波导(1)，所述第二自由传输区(4)的输出端并列耦合连接有九个相互平行的输出硅波导(5)，所述输入硅波导(1)与所述输出硅波导(5)均采用正负热光系数相抵消的温度不敏感结构。

2.根据权利要求1所述的温度不敏感硅基阵列波导光栅结构波分复用器，其特征在于：所述温度不敏感结构包括二氧化硅层(8)，所述二氧化硅层(8)底面对接有硅衬底(9)，所述二氧化硅层(8)顶面中部对接有硅波导(6)，所述硅波导(6)上覆盖有可与硅材料正热光系数相抵消的负热光系数材料包层。

3.根据权利要求2所述的温度不敏感硅基阵列波导光栅结构波分复用器，其特征在于：所述负热光系数材料包层为二氧化钛包层(7)。

4.根据权利要求2所述的温度不敏感硅基阵列波导光栅结构波分复用器，其特征在于：所述硅波导(6)是基于SOI晶圆的阵列波导光栅结构，其波导层厚度为220nm。