[发明专利]一种高质量二硫化钼薄膜的原子层沉积制备方法在审
| 申请号： | 202011073261.8 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN114318288A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 范天庆;屈芙蓉;冯嘉恒;夏洋;何萌;高圣;明帅强;李国庆;刘晓静;陶晓俊;沈云华 | 申请（专利权）人： | 昆山微电子技术研究院 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215347 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 质量 二硫化钼 薄膜 原子 沉积 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高质量二硫化钼薄膜的原子层沉积方法，包括以下步骤：
在预处理衬底上分别通入钼前驱体和硫前驱体，进行原子层沉积，得到高质量二硫化钼薄膜；
所述钼前驱体选自氯化钼，所述硫前驱体选自硫化氢；或所述钼前驱体选自双(叔丁基)双(二甲基氨基)钼，所述硫前驱体选自二硫化二甲基。
2.根据权利要求1所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述原子层沉积的真空度为0.1～0.2Torr。
3.根据权利要求1所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述钼前驱体选自氯化钼，所述硫前驱体选自硫化氢时，原子层沉积的温度在450℃以下；
所述钼前驱体选自双(叔丁基)双(二甲基氨基)钼，所述硫前驱体选自二硫化二甲基时，原子层沉积的温度在200℃以下。
4.根据权利要求1所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述预处理衬底选自蓝宝石衬底、Si衬底或Si-SiO2衬底。
5.根据权利要求1所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述预处理衬底按照以下方法制得：
将衬底依次分别在丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗25～35min，烘干，得到预处理衬底。
6.根据权利要求1所述的原子层沉积方法，其特征在于，原子层沉积时通过控制不同循环数，得到不同厚度的高质量二硫化钼薄膜。
7.根据权利要求1所述的原子层沉积方法，其特征在于，预处理衬底置于沉积腔室后抽真空度至5×10-3Torr以下。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
