[发明专利]一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 202011068978.3 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112234115B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 陈坤;王文武;谢毅;李卫;苏荣;张静全;李书森 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/056;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 610213 四川省成都市双流*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高效 钝化 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，包括P型硅（1），其特征在于:所述P型硅（1）的背光面由上至下依次设有SiOx钝化层（2）、AIOx:H钝化层（4）、SixNy:H减反钝化层（5）、SiOx减反钝化层（6），所述SiOx钝化层（2）与AIOx:H钝化层（4）之间设有TiOx减反钝化层（3）。
2.根据权利要求1所述的一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述TiOx减反钝化层（3）中的x值为1或2，折射率为1.8~2.5。
3.根据权利要求1所述的一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述SiOx钝化层（2）中的x值为1或2，折射率为1.4~1.7。
4.根据权利要求1所述的一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述AIOx:H钝化层（4）的厚度为2~50nm。
5.根据权利要求1所述的一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，其特征在于，SixNy:H减反钝化层（5）的厚度为20~150nm。
6.根据权利要求1所述的一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，其特征在于，SiOx减反钝化层（6）的厚度为5~200nm。
7.根据权利要求6所述的一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述SiOx减反钝化层（6）中的x值为1或2，折射率为1.4~1.7。
8.根据权利要求1~7任意一项所述的一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)首先使用溶胶凝胶法或者PECVD在晶硅太阳能电池上制备SiOx钝化层（2）；
2)然后使用溶胶凝胶法或者PECVD在具有SiOx钝化层（2）的晶硅太阳能电池上制备TiOx减反钝化层（3），得到复合减反钝化层样品；
3)将制备好的复合减反钝化层样品进行退火处理，温度200℃~500℃，保温时间20min~60min；
4)将P型硅（1）放置在原子沉积腔内，然后通入氮气、氧气、水蒸气和三甲基铝，制备氧含量和氢含量梯度变化为从上到下逐步增加的AlOx:H钝化层（4）；
5)将P型硅（1）放置于退火炉中，在600℃条件下进行热处理，10~15分钟；
6)将P型硅（1）放置于PECVD的腔体，通入硅烷和氨气，打开射频电源，制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SixNy:H减反钝化层（5）；
使用溶胶凝胶法或PECVD的方法制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SiOx减反钝化层（6）。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通威太阳能（成都）有限公司，未经通威太阳能（成都）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011068978.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
