[发明专利]拼接芯片的线上监控方法在审
| 申请号： | 202011061269.2 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112180691A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 赵庆贺;康柏;张武志;曹亚民 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 拼接 芯片 线上 监控 方法 | ||
1.一种拼接芯片的线上监控方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、将多个小尺寸的拼接单元拼接形成大尺寸的拼接芯片，拼接时对所述拼接单元进行排序使所述拼接芯片的窄边宽度小于等于量测机台的识别宽度的下限；
步骤二、在所述拼接芯片的长边外侧设置多个第一图形标记，所述第一图形标记将所述拼接芯片分割成多个重复测量单元，相邻两个所述第一图形标记之间的距离小于等于所述量测机台的识别宽度的下限；
步骤三、所述量测机台通过所述第一图形标记锁定对应的所述重复测量单元并实现对锁定的所述重复测量单元进行测量，通过对所述拼接芯片上的所有所述重复测量单元进行测量完成所述拼接芯片的线上监控。
2.如权利要求1所述的拼接芯片的线上监控方法，其特征在于：步骤一中，各所述拼接单元的大小都相同；或者，各所述拼接单元的大小不同。
3.如权利要求2所述的拼接芯片的线上监控方法，其特征在于：各所述拼接单元的形状为矩形。
4.如权利要求3所述的拼接芯片的线上监控方法，其特征在于：各所述拼接单元的大小小于等于光刻机的最大曝光视场。
5.如权利要求4所述的拼接芯片的线上监控方法，其特征在于：所述拼接芯片上的各所述拼接单元分别通过单独曝光定义。
6.如权利要求5所述的拼接芯片的线上监控方法，其特征在于：所述第一图形标记位于所述拼接芯片的长边外侧的切割道里。
7.如权利要求4所述的拼接芯片的线上监控方法，其特征在于：所述光刻机的最大曝光视场为26mm×33mm。
8.如权利要求1所述的拼接芯片的线上监控方法，其特征在于：步骤二中，各所述重复测量单元的大小相同。
9.如权利要求1或8所述的拼接芯片的线上监控方法，其特征在于：所述第一图形标记的形状为十字型。
10.如权利要求1所述的拼接芯片的线上监控方法，其特征在于：所述拼接芯片为图像传感器芯片。
11.如权利要求10所述的拼接芯片的线上监控方法，其特征在于：所述拼接单元包括：芯片角落单元、像素区单元、左右电路单元和上下电路单元。
12.如权利要求10所述的拼接芯片的线上监控方法，其特征在于：所述图像传感器芯片包括CIS芯片。
13.如权利要求1所述的拼接芯片的线上监控方法，其特征在于：在所述拼接芯片上设置有量测衬垫，所述量测机台通过所述量测衬垫实现对相应的所述重复测量单元进行测量。
14.如权利要求13所述的拼接芯片的线上监控方法，其特征在于：所述量测衬垫的设置靠近所述第一图形标记的切割道里。
15.如权利要求11所述的拼接芯片的线上监控方法，其特征在于：相邻两个所述第一图形标记之间的距离等于所述像素区单元的沿所述拼接芯片的长边的边长。
16.如权利要求15所述的拼接芯片的线上监控方法，其特征在于：所述像素区单元呈正方形。
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