[发明专利]干法刻蚀机台及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202011044728.6 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112086384A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 易芳;孟凡顺;杨伟杰 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 510000 广东省广州市中新广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 机台 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
将晶圆传送至干法刻蚀机台的工艺腔内，对所述晶圆进行干法刻蚀；
将完成干法刻蚀工艺的晶圆自所述工艺腔内取出，并传送至所述干法刻蚀机台的冷却台，向所述冷却台通入吹扫气体，并利用抽气装置抽取所述冷却台的气体；以及，
将所述晶圆自所述冷却传送至前开式晶圆传送盒。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，向所述冷却台上方通入所述吹扫气体。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述吹扫气体为经过加热的氮气。
4.一种干法刻蚀机台，其特征在于，包括工艺腔、传送装置以及冷却台，通过所述传送装置将晶圆从所述工艺腔传送至所述冷却台，所述冷却台处设置有供气管道、抽气管道和抽气装置，所述供气管道用于向所述冷却台通入吹扫气体，所述抽气装置通过所述抽气管道抽取所述冷却台的气体。
5.如权利要求4所述的干法刻蚀机台，其特征在于，所述抽气装置为干泵。
6.如权利要求4所述的干法刻蚀机台，其特征在于，所述吹扫气体为经过加热的氮气。
7.如权利要求4至6中任一项所述的干法刻蚀机台，其特征在于，所述供气管道设置在所述冷却台的正上方。
8.如权利要求7所述的干法刻蚀机台，其特征在于，所述供气管道的数量为一个。
9.如权利要求7所述的干法刻蚀机台，其特征在于，所述供气管道的数量为多个，多个所述供气管道均匀的设置在冷却台上方。
10.如权利要求4至6中任一项所述的干法刻蚀机台，其特征在于，所述抽气管道设置在所述冷却台的正下方。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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