[发明专利]铸造单晶籽晶制备方法

权利要求书

1.一种铸造单晶籽晶制备方法，其特征在于包括如下步骤：

S1：将直拉单晶棒的头部和尾部去除；

S2：将直拉单晶棒头部的切割面定义为头面，直拉单晶棒尾部的切割面定义为尾面；用金刚笔在所述的头面上刻“T”字形标识，“T”字形标识的深度为H，以“T”字形为标准，“T”字的上下左右四个棱线分别为a、b、c和d；从正视于头面角度看，a、b、c和d构成了正方形，正方形以头面圆心为基准旋转X角度，a、b、c和d分别旋转至a’、b’、c’和d’位置；以a’、b’、c’和d’对应的棱线为基准进行去皮操作，得到单晶方棒；

S3：单晶方棒的四个侧面分别定义为一号面、二号面、三号面和四号面，使用金刚笔在一号面的左侧或右侧上刻画一条竖线作为标记线，标记线的深度为H，标记线保证在后续的清洗过程中不会被洗掉；

S4：将单晶方棒从头面向尾面横向切割成若干个等高的单晶籽晶；

S5：采用步骤S2-S4得到的单晶籽晶定义为X单晶籽晶；标记线所在的一侧为一号面，根据标记线左右侧的位置判断头面和尾面，X单晶籽晶的其它侧面以一号面为基准沿顺时针方向依次为二号面、三号面和四号面；X单晶籽晶上下面分别为头面和尾面；

S6：X单晶籽晶进行清洗；

X单晶籽晶清洗过程为：

S6.1：利用高纯水和超声波对X单晶籽晶进行清洗，温度控制在61-63℃范围内，时间控制在110-130秒内，洗掉X单晶籽晶表面附着的杂质；

S6.2：利用高纯水、超声波和碱对X单晶籽晶进行清洗，酸碱度标准为PH=14，温度控制在88-90℃范围内，时间为98-102秒；

S6.3：再次重复步骤S6.1，洗掉残留碱；

S6.4：利用热风进行烘干处理，温度控制在96-98℃范围内。

2.根据权利要求1所述的铸造单晶籽晶制备方法，其特征在于：H的取值范围为0.01-0.02mm。

3.根据权利要求2所述的铸造单晶籽晶制备方法，其特征在于：标记线设置在一号面的左侧。

4.根据权利要求3所述的铸造单晶籽晶制备方法，其特征在于：在步骤S2中，a、b、c和d构成了正方形旋转角度为Y时，标记线的数量为两条，则切割得到的单晶籽晶为Y单晶籽晶，X和Y的差值为28°。