[发明专利]一种用于PLL电路的压控振荡器电路在审

专利信息
申请号: 202011030979.9 申请日: 2020-09-27
公开(公告)号: CN112165325A 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 魏来 申请(专利权)人: 灿芯半导体(上海)有限公司
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 上海湾谷知识产权代理事务所(普通合伙) 31289 代理人: 倪继祖
地址: 201203 上海市浦东新区自由*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 pll 电路 压控振荡器
【权利要求书】:

1.一种用于PLL电路的压控振荡器电路,其特征在于,包括:三级延迟单元、电流镜电路以及三个电容谐振单元,其中,

所述电流镜电路的输出电流作为所述三级延迟单元的控制电流;

所述三级延迟单元的每级延迟单元的输出端均连接一个所述电容谐振单元;

所述电容谐振单元接收LPF的输出电压。

2.根据权利要求1所述的用于PLL电路的压控振荡器电路,其特征在于,所述三级延迟单元包括:第一级至第三级延迟单元;

所述的第一级至第三级延迟单元串联,第三级延迟单元的输出端连接第一级延迟单元的输入端。

3.根据权利要求1所述的用于PLL电路的压控振荡器电路,其特征在于,所述电容谐振单元包括至少两组相互并联的可变电容单元带;

每组所述可变电容单元带接收LPF的输出电压。

4.根据权利要求3所述的用于PLL电路的压控振荡器电路,其特征在于,每组所述可变电容单元带包括:相互串联,并由LPF的输出电压控制可变电容值的两个可变电容。

5.根据权利要求1所述的用于PLL电路的压控振荡器电路,其特征在于,所述电流镜电路包括:第一PMOS管、第二PMOS管、MOS管、第一NMOS管和第二NMOS管,其中,

所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极相接;

所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极相接;

所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极相接;

所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极相接;

所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的各自源极接地;

所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极相接;

所述第一NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的漏极相接;

所述第二PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的漏极相接;

所述MOS管的源极连接所述第二PMOS管的源极;

所述MOS管的栅极连接所述第二PMOS管的漏极;

所述MOS管的漏极作为所述电流镜电路的输出端。

6.根据权利要求5所述的用于PLL电路的压控振荡器电路,其特征在于,所述第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管构成一个自偏置电流镜;所述MOS管构成可挑电流镜。

7.根据权利要求6所述的用于PLL电路的压控振荡器电路,其特征在于,还包括:根据VCO选择工作频率与预设频率的比较结果,选择电流镜电路的镜像电流大小的数字控制电路。

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