[发明专利]一种氧化铝陶瓷制品的清洗方法在审
| 申请号: | 202011028555.9 | 申请日: | 2020-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN112317457A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
| 发明(设计)人: | 刘汝强;王殿春;赵旭荣 | 申请(专利权)人: | 山东国晶新材料有限公司 |
| 主分类号: | B08B7/00 | 分类号: | B08B7/00;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 杨磊 |
| 地址: | 251200 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 氧化铝 陶瓷制品 清洗 方法 | ||
本发明涉及一种氧化铝陶瓷制品的清洗方法,包括步骤如下:(1)将氧化铝陶瓷制品表面采用氢氧焰烧灼,然后冷却;(2)将冷却后的氧化铝陶瓷制品用无水乙醇浸泡;(3)将无水乙醇浸泡后的氧化铝陶瓷制品用去离子水超声波清洗、去离子水冲洗,即完成氧化铝陶瓷制品的清洗。本发明的氧化铝陶瓷的清洗方法,针对含单质碳的污染物,采用了1100℃‑1500℃氢氧焰烧灼工艺,有效去除氧化铝陶瓷表面含碳污染物,提高清洗效率,提高氧化铝陶瓷表面洁净度的同时,不会对陶瓷制品有损伤。
技术领域
本发明涉及一种氧化铝陶瓷制品的清洗方法,属于清洗技术领域。
背景技术
氧化铝陶瓷具有优异的电绝缘性能、耐高温、耐腐蚀性能,价格相对便宜,是用途最广泛的陶瓷材料之一。应用到高真空高洁净度环境中的氧化铝陶瓷,要求其具备极高的纯度及表面洁净度,而现有氧化铝陶瓷制件的清洗方法无法有效去除不锈钢或其他含单质碳的污染物与氧化铝接触、摩擦产生的划痕等污染问题。
关于氧化铝陶瓷制品的清洗方面的技术也有专利文件报道,例如:中国专利文件CN209491117U公开了氧化铝陶瓷安全换能器及其超声清洗装置,采用超声的方式进行清洗。中国专利文件CN106735911A公开了一种超快激光处理氧化铝陶瓷刀片表面的方法,该方法首先将陶瓷刀片样品利用去离子水和无水乙醇清洗干净后冷风吹干或晾干,再利用激光加工技术,采用超快激光调节好相关的工艺参数后对样品进行表面处理,在样品表面加工出无数的微纳结构,使刀具表面由亲切削液变为超亲切削液。中国专利文件CN105601335A公开了一种氧化铝陶瓷片处理工艺,步骤如下:(1)蒸馏水清洗:将陶瓷片放置在100%纯水中清洗,烘干;(2)酮洗:将清洗过的陶瓷片放置在40-50%丙酮中浸泡,烘干;(3)碱洗:将酮洗过陶瓷片置于80-90%碳酸钠溶液中浸泡,烘干。
然而,上述现有技术对于氧化铝陶瓷的清洗仍然是单纯采用清洗液参与的方式进行清洗,无法解决含有单质碳带来的污染问题,以及容易对氧化铝陶瓷材料造成损伤的问题。
发明内容
针对现有技术的不足,尤其是现有氧化铝陶瓷制品的清洗方法无法有效去除不锈钢或其他含单质碳的污染物与氧化铝接触、摩擦产生的痕迹等污染问题。本发明提供一种氧化铝陶瓷制品的清洗方法。
本发明的技术方案如下:
一种氧化铝陶瓷制品的清洗方法,包括步骤如下:
(1)将氧化铝陶瓷制品表面采用氢氧焰烧灼,然后冷却;
(2)将冷却后的氧化铝陶瓷制品用无水乙醇浸泡;
(3)将无水乙醇浸泡后的氧化铝陶瓷制品用去离子水超声波清洗、去离子水冲洗,即完成氧化铝陶瓷制品的清洗。
根据本发明,优选的,步骤(1)中氢氧焰的温度为1100℃-1500℃,优选1200-1400℃。
本发明确定氢氧焰的温度控制不能太高,温度太高将会导致氧化铝高温分解,产生结构缺陷。
根据本发明,优选的,步骤(1)中氢氧焰烧灼的时间为3-30s,进一步优选5-10s。
根据本发明,优选的,步骤(1)中冷却的方式为自然冷却。
根据本发明,优选的,步骤(2)中用无水乙醇浸泡的时间为0.5-2小时,进一步优选1小时。
根据本发明,优选的,步骤(3)中超声清洗过程的超声波频率为20-80kHz,进一步优选30-60kHz。
优选的,超声清洗的时间为5-20分钟,进一步优选10分钟;
优选的,去离子水冲洗的时间为1-2分钟。
根据本发明,优选的,步骤(3)去离子水冲洗后,还包括对氧化铝陶瓷制品烘干步骤;
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