[发明专利]集成电路装置的制造方法

说明书

本公开涉及一种集成电路装置的制造方法。本公开还涉及一半导体基板，具有组成均匀的金属，以及具有此金属与一氧化物的嵌入式表面。使用包括第一研磨剂以及第一胺基碱的第一浆料，直到露出嵌入式表面。使用包括第二研磨剂以及第二胺基碱的第二浆料研磨嵌入式表面。第二研磨剂与第一研磨剂不同。第二胺基碱与第一胺基碱不同。此金属与此氧化物在第一浆料中分别具有第一移除速率与第二移除速率，以及在第二浆料中分别具有第三移除速率与第四移除速率。第一移除速率对第二移除速率的比例大于30：1，以及第三移除速率对第四移除速率的比例为约1：0.5至约1：2。

技术领域

本公开涉及一种集成电路装置的制造方法，特别涉及一种CMP工艺。

背景技术

化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)也称为化学 机械研磨(chemical mechanical polishing)，为一种结合化学与机械机制的表 面研磨工艺。在传统的CMP工艺中，在存在研磨剂(abrasive)与腐蚀性化学 浆料(corrosive chemicalslurry)的情况下，将基板压在研磨垫上，同时在工艺 期间保持研磨垫与基板之间的相对运动。此工艺移除基板的表面上的材料， 并且将一些不规则的形貌(topography)变得平整。结果，基板变得更平坦或 平整，且通常更适合进行后续的工艺步骤。CMP在许多半导体制造工艺中 都是必需的。然而，在现今的CMP工艺中经常使用的浆料组合物并非对于 所有基板材料都有效。因此，尽管现有的浆料组合物通常已经足以满足其 预期目的，但在各个方面都有不尽人意的处。

发明内容

本发明实施例提供一种方法，此方法包括接收一半导体基板，其具有 在第一表面上露出的金属材料，第一表面具有金属材料的实质上均匀的材 料组成。此方法也包括接收一第一浆料，其包括第一研磨剂成分以及第一 胺基碱性成分，以及以第一浆料研磨第一表面上露出的金属材料，直到露 出第二表面。第二表面包括金属材料以及围绕金属材料的氧化材料。再者， 此金属材料在第一浆料中具有第一移除速率，以及此氧化材料在第一浆料中具有第二移除速率。此方法还包括接收一第二浆料，其包括第二研磨剂 成分及第二胺基碱性成分。第二研磨剂成分与第一研磨剂成分不同，且第 二胺基碱性成分与第一胺基碱性成分不同。此外，金属材料在第二浆料中 具有第三移除速率，且氧化材料在第二浆料中具有第四移除速率。此方法 额外的包括以第二浆料研磨在第二表面上露出的金属材料与氧化材料。第 一移除速率对第二移除速率的比例大于30：1，以及第三移除速率对第四移 除速率的比例为约1：0.5至约1：2。

本发明实施例提供一种方法，此方法包括接收一半导体装置，其具有 第一表面与第二表面。第一表面为顶面，此顶面包括暴露于其上的导电材 料；以及第二表面为嵌入式表面，此嵌入式表面包括导电材料及介电材料。 此方法亦包括选择第一研磨浆料，以实现在第一研磨浆料中的导电材料的 第一研磨速率以及在第一研磨浆料中的介电材料的第二研磨速率。第一研 磨速率远超过第二研磨速率。此方法还包括选择第二研磨浆料，以实现在 第二研磨浆料中的导电材料的第三研磨速率以及在第二研磨浆料中的介电 材料的第四研磨速率。第三研磨速率与第四研磨速率匹配。此方法另外包 括以第一研磨浆料研磨第一表面，直到露出第二表面；以及以第二研磨浆 料研磨第二表面。