[发明专利]一种近红外发光材料及其制备方法与转换型LED发光装置

权利要求书

1.一种近红外发光材料，其特征在于，包含无机化合物，所述无机化合物化学通式为A_xB_yC_zO_qD_p，

其中，字母A为Li、Na元素中的一种及以上；

字母B为In、Sc、Ga、Ti元素中的一种或两种，且至少含有In；

字母C为Sb、Nb、Ta、Zr、Ti元素中的一种或两种，且至少含有Sb；

字母O表示为氧元素；

字母D为Cr或Yb，或Cr、Yb中的两种，或Cr、Yb、Er、Ho中的三种且至少含有Cr和Yb；

且0.8≤x≤1.2， 1.5≤y≤2， 0.5≤Z≤1，q=6，0p≤0.2；

所述近红外发光材料和LiIn₂SbO₆具有相同的晶体结构。

2.根据权利要求1所述的近红外发光材料，其特征在于，

所述字母A中元素Na与Li的摩尔比m满足0≤m≤0.1。

3.根据权利要求1所述的近红外发光材料，其特征在于，

所述字母C为元素Sb；所述字母D为元素Cr。

4.根据权利要求1所述的近红外发光材料，其特征在于，所述近红外发光材料的形态为单晶、粉晶、玻璃及陶瓷中的一种以上。

5.根据权利要求1所述的近红外发光材料，其特征在于，化学式为Cr_0.03LiIn_1.97SbO₆，其在460 nm蓝光激发下所发射的红外光波长范围为780-1400 nm。

6.一种制备权利要求1-5任一项所述的近红外发光材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）按化学通式A_xB_yC_zO_qD_p的化学计量比称取原料，充分研磨混匀，得到原料混合物；

（2）将步骤（1）所述原料混合物在氧化气氛中升温进行煅烧处理，得到烧结体；

（3）将步骤（2）所述烧结体研磨成粉末，得到所述近红外发光材料的粉末。

7.根据权利要求6所述的近红外发光材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述原料为锂、铟、锑、钠、钪、镓、锆、钛、钽、铌、铬、镱、铒以及钬元素的氧化物、氯化物、硫化物、碳酸盐、硫酸盐、磷酸盐或硝酸盐；步骤（2）所述氧化气氛为空气气氛或氧气气氛；步骤（2）所述煅烧处理的温度为1000-1400℃，步骤（2）所述煅烧处理的时间为2-48h；步骤（3）所述研磨的时间为3-60min。

8.一种转换型LED发光装置，其特征在于，包括封装基板、LED芯片和权利要求1-5任一项所述的近红外发光材料。

9.根据权利要求8所述的转换型LED发光装置，其特征在于，所述LED芯片的发光波长为246-900nm。

10.根据权利要求8所述的转换型LED发光装置，其特征在于，所述LED芯片为InGaN或GaN半导体芯片。