[发明专利]一种半导体结构的制备方法有效
| 申请号： | 202011005773.0 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN111933699B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 陈宏玮;翁文杰;杨子亿;张燚 | 申请（专利权）人： | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市栖霞区迈*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制备 方法 | ||
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域；
于所述半导体衬底上形成栅极绝缘材料层，所述栅极绝缘材料层包括分别覆盖所述第一区域和所述第二区域表面的第一栅极绝缘材料层和第二栅极绝缘材料层；
于所述栅极绝缘材料层上形成图案化的光阻层，所述图案化的光阻层覆盖所述第二栅极绝缘材料层并露出所述第一栅极绝缘材料层，所述图案化的光阻层的厚度介于1.8微米~2.6微米之间；
湿法蚀刻完全去除或者去除部分厚度的所述第一栅极绝缘材料层，其中，当去除部分厚度的所述第一栅极绝缘材料层时，剩余厚度的所述第一栅极绝缘材料层作为第一栅极绝缘层，当湿法蚀刻完全去除所述第一栅极绝缘材料层时，于完全去除所述第一栅极绝缘材料层以露出所述第一区域的所述半导体衬底上沉积绝缘材料以形成第一栅极绝缘层；
其中，所述图案化的光阻层的厚度能够确保蚀刻液能够渗透穿过，在进行湿法蚀刻时，所述蚀刻液渗透所述图案化的光阻层后对所述第二栅极绝缘材料层进行蚀刻减薄，以在所述第二区域的表面形成第二栅极绝缘层，在湿法蚀刻过程中，所述第一栅极绝缘材料层的蚀刻速率介于0.15埃/秒~0.25埃/秒，所述第二栅极绝缘材料层的蚀刻速率介于0.020埃/秒~0.034埃/秒。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一区域包括低压区域，所述第二区域包括中压区域。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述栅极绝缘材料层的材料包括氧化层；所述蚀刻液包括氢氟酸稀释液或氢氟酸缓冲液。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述蚀刻液为氢氟酸稀释液，其中，在所述氢氟酸稀释液中氢氟酸与去离子水的摩尔比介于1:150~1:250之间。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述半导体衬底上形成所述栅极绝缘材料层的步骤中，所述栅极绝缘材料层的厚度介于40埃-150埃之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京晶驱集成电路有限公司，未经南京晶驱集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011005773.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
